Datasheet下载- 型号： STU5N60M2
- 制造商： STMicroelectronics
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STU5N60M2由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STU5N60M2价格参考。STMicroelectronicsSTU5N60M2封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载STU5N60M2参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STU5N60M2 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics的STU5N60M2是一款N沟道增强型功率MOSFET，主要用于需要高效能和高可靠性的电源管理系统中。该器件具备600V的漏源击穿电压和5A的连续漏极电流能力，适合用于中高功率应用。 应用场景包括： 1. 开关电源（SMPS）：适用于适配器、充电器、PC电源等，作为主开关或同步整流器件，提高能效并减小体积。 2. 照明系统：用于LED驱动电源中，实现恒流输出和调光功能，具有良好的热稳定性和效率。 3. 电机控制：应用于小型电机驱动、风扇控制、电动工具等场景，支持高频开关和快速响应。 4. 工业自动化：用于PLC、继电器驱动、传感器供电等工业控制系统，具备较强的抗干扰能力和可靠性。 5. 家电产品：如电磁炉、微波炉、洗衣机等家用电器中的功率控制部分，支持节能和智能控制。 该MOSFET采用TO-220或DPAK等封装形式，具备良好的散热性能，适合在较宽温度范围内工作，适用于工业级和消费类电子设备的设计。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 3.7A TO220 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | STU5N60M2 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | MDmesh™ II Plus |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 165pF @ 100V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 4.5nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1.4 欧姆 @ 1.85A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-220 |
| 其它名称 | 497-14224-5 |
| 功率-最大值 | 45W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 标准包装 | 75 |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/mdmesh-ii-plus-low-qg-power-mosfets/52036 |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 3.7A （Tc） |
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