Datasheet下载- 型号： NDC632P
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NDC632P由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NDC632P价格参考。Fairchild SemiconductorNDC632P封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NDC632P参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NDC632P 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
安森美半导体（ON Semiconductor）的NDC632P是一款P沟道增强型MOSFET，常用于需要高效功率控制的电子电路中。该器件具有低导通电阻、高耐压和良好热稳定性的特点，适用于多种电源管理和开关应用。 NDC632P的主要应用场景包括： 1. 电源管理：用于DC-DC转换器、负载开关和电池供电设备中的电源控制，提高能效并延长电池寿命。 2. 电机驱动：在小型电机控制电路中作为开关元件，实现对电机启停和方向的控制。 3. 工业控制：用于工业自动化设备中的继电器替代、电磁阀控制和传感器电源切换等。 4. 汽车电子：应用于车载电源系统、LED照明控制及车载充电器等场景。 5. 消费类电子产品：如笔记本电脑、平板电脑和智能家电中的电源开关和负载管理。 该MOSFET采用小型封装，适合空间受限的设计，同时具备良好的热性能，有助于提升系统稳定性和可靠性。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 2.7A SSOT-6 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NDC632P |
| PCN设计/规格 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 550pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 15nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 140 毫欧 @ 2.7A，4.5V |
| 供应商器件封装 | 6-SSOT |
| 其它名称 | NDC632PDKR |
| 功率-最大值 | 800mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2.7A （Ta） |
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