Datasheet下载- 型号： STD6N52K3
- 制造商： STMicroelectronics
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STD6N52K3由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STD6N52K3价格参考。STMicroelectronicsSTD6N52K3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载STD6N52K3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STD6N52K3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics（意法半导体）的STD6N52K3是一款N沟道增强型功率MOSFET，属于晶体管中的MOSFET单管产品。该器件采用先进的STripFET™技术，具有低导通电阻（RDS(on)）、高开关效率和良好的热稳定性，适用于多种中低功率电源管理场景。 其典型应用场景包括： 1. 电源适配器与充电器：广泛用于手机、笔记本电脑等设备的AC-DC开关电源中，作为主开关或同步整流元件，提升转换效率。 2. DC-DC转换器：在降压（Buck）、升压（Boost）等拓扑结构中实现高效电能转换，常见于工业控制板、嵌入式系统供电模块。 3. 电机驱动电路：适用于小型直流电机或步进电机的驱动控制，如家用电器（风扇、电动工具）中的功率开关。 4. 照明电源：用于LED驱动电源，支持恒流输出设计，提高照明系统的能效和可靠性。 5. 消费类电子产品：如智能家居设备、音响电源等对体积和效率要求较高的场合。 STD6N52K3具备600V耐压、6A连续漏极电流能力，结合TO-220FP或类似封装，散热性能良好，适合紧凑型设计。其高可靠性和成熟的工艺使其在工业、消费电子领域广泛应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 525V 5A DPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | STD6N52K3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | SuperMESH3™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 100µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1.2 欧姆 @ 2.5A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 其它名称 | 497-10118-2 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1167/PF216802?referrer=70071840 |
| 功率-最大值 | 70W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 工具箱 | /product-detail/zh/Q7096737/497-8014-KIT-ND/3479580 |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 525V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 5A （Tc） |
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