Datasheet下载- 型号： CSD16404Q5A
- 制造商： Texas Instruments
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CSD16404Q5A由Texas Instruments设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CSD16404Q5A价格参考。Texas InstrumentsCSD16404Q5A封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CSD16404Q5A参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CSD16404Q5A 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CSD16404Q5A 是 Texas Instruments（德州仪器）推出的一款高性能 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别的产品。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理 - DC-DC 转换器：CSD16404Q5A 具有低导通电阻（Rds(on)）和快速开关特性，适合用于高效的 DC-DC 转换器设计，例如降压或升压转换器。 - 负载开关：在需要高效负载切换的场景中，这款 MOSFET 可以用作负载开关，控制电流流向特定负载。 - 电池管理系统 (BMS)：适用于电池充电和放电路径中的开关，确保电池安全运行并优化能量效率。 2. 电机驱动 - 小型直流电机控制：由于其低损耗特性和高可靠性，CSD16404Q5A 可用于驱动小型直流电机，实现精确的速度和方向控制。 - H 桥电路：在 H 桥配置中，该 MOSFET 可用于双向电机控制，支持正转、反转及制动功能。 3. 工业自动化 - 继电器替代：在工业控制系统中，可以用 CSD16404Q5A 替代传统机械继电器，提供更长寿命和更高效率的电子开关解决方案。 - 信号隔离与放大：在需要将弱电信号转换为强电信号的应用中，此 MOSFET 可作为功率放大级的核心元件。 4. 消费电子产品 - 便携式设备：如平板电脑、智能手机充电器等，CSD16404Q5A 的紧凑封装和高效性能使其非常适合便携式设备的电源管理模块。 - 音频放大器：在 D 类音频放大器中，该 MOSFET 可用作输出级开关，提供高质量的音频信号输出。 5. 汽车电子 - 车载电子系统：包括车灯控制、座椅调节、电动窗户等功能模块，CSD16404Q5A 能够满足汽车环境中对可靠性和耐久性的严格要求。 - 逆变器：用于电动汽车或混合动力汽车中的逆变器，将直流电转换为交流电以驱动电机。 总结 CSD16404Q5A 凭借其出色的电气性能、可靠性和紧凑设计，广泛应用于电源管理、电机驱动、工业自动化、消费电子产品以及汽车电子等领域。其低导通电阻和快速开关能力，使得它成为追求高效能和小型化设计的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 25V 81A 8-SONMOSFET N-Ch NexFET Power MOSFETs |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 81 A |
| Id-连续漏极电流 | 21 A |
| 品牌 | Texas Instruments |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS含铅 / 不受限制有害物质指令(RoHS)规范要求限制 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Texas Instruments CSD16404Q5ANexFET™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | CSD16404Q5A |
| Pd-PowerDissipation | 3 W |
| Pd-功率耗散 | 3 W |
| Qg-栅极电荷 | 6.5 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 4.1 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 7.2 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 25 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 25 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | - 12 V, + 16 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 16 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 1.8 V |
| 上升时间 | 13.4 ns |
| 下降时间 | 4.6 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1220pF @ 12.5V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 8.5nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 5.1 毫欧 @ 20A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25585 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SON（5x6） |
| 其它名称 | 296-24250-2 |
| 典型关闭延迟时间 | 8.4 ns |
| 制造商产品页 | http://www.ti.com/general/docs/suppproductinfo.tsp?distId=10&orderablePartNumber=CSD16404Q5A |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | Texas Instruments |
| 商标名 | NexFET |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
| 封装/箱体 | VSON-8 FET |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 2,500 |
| 正向跨导-最小值 | 57 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 25V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 21A （Ta）， 81A （Tc） |
| 系列 | CSD16404Q5A |
| 视频文件 | http://www.digikey.cn/classic/video.aspx?PlayerID=1364138032001&width=640&height=455&videoID=541363338001http://www.digikey.cn/classic/video.aspx?PlayerID=1364138032001&width=640&height=455&videoID=1083957888001 |
| 设计资源 | http://www.digikey.com/product-highlights/cn/zh/texas-instruments-webench-design-center/3176 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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