Datasheet下载- 型号： IRFR1N60APBF
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFR1N60APBF由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFR1N60APBF价格参考。VishayIRFR1N60APBF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRFR1N60APBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFR1N60APBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IRFR1N60APBF 是由 Vishay Siliconix 生产的一款 N 沱道功率 MOSFET，其主要应用场景包括但不限于以下领域： 1. 开关电源（SMPS） - IRFR1N60APBF 的高电压耐受能力（高达 600V）使其非常适合用于开关电源中的高频开关应用。它可以在高压环境下稳定工作，适用于 AC-DC 或 DC-DC 转换器。 2. 电机驱动 - 在电机控制电路中，该 MOSFET 可作为开关元件使用，用于调节电机的转速和方向。其低导通电阻（Rds(on) 典型值为 4.5Ω）有助于减少功率损耗，提高效率。 3. 逆变器 - 该型号常用于太阳能逆变器或其他类型的逆变器中，作为功率级开关器件。它可以快速切换以生成所需的交流波形。 4. 负载开关 - 在需要控制高电压负载的应用中，IRFR1N60APBF 可用作负载开关，实现对负载的开启和关闭操作，同时保护电路免受过流或短路的影响。 5. 脉宽调制（PWM）控制器 - 由于其快速开关特性和良好的热稳定性，该 MOSFET 常被用于 PWM 控制器中，用于调节输出电压或电流。 6. 保护电路 - 在过压、过流或短路保护电路中，IRFR1N60APBF 可以充当开关元件，迅速切断异常电流路径，保护下游设备。 7. 电池管理系统（BMS） - 在高压电池系统中，该 MOSFET 可用于充放电控制和保护功能，确保电池在安全范围内运行。 8. 工业自动化 - 在工业控制系统中，IRFR1N60APBF 可用于驱动继电器、电磁阀等执行机构，满足高压环境下的需求。 总结 IRFR1N60APBF 凭借其高耐压、低导通电阻和快速开关特性，广泛应用于高压、高频和高效能需求的场景中，如开关电源、电机驱动、逆变器、负载开关和保护电路等。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 1.4A DPAKMOSFET N-Chan 600V 1.4 Amp |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 1.4 A |
| Id-连续漏极电流 | 1.4 A |
| 品牌 | Vishay SiliconixVishay / Siliconix |
| 产品手册 | http://www.vishay.com/doc?91267 |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRFR1N60APBF- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRFR1N60APBFIRFR1N60APBF |
| Pd-PowerDissipation | 36 W |
| Pd-功率耗散 | 36 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 7 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 7 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 600 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| 上升时间 | 14 ns |
| 下降时间 | 20 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 229pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 14nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 7 欧姆 @ 840mA，10V |
| 产品种类 | Single-Gate MOSFET Transistors |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 典型关闭延迟时间 | 18 ns |
| 功率-最大值 | 36W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 封装/箱体 | DPAK |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 1.4A （Tc） |
| 系列 | IRF/SIHRx1N60A |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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