Datasheet下载- 型号： IRLI630GPBF
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRLI630GPBF由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRLI630GPBF价格参考。VishayIRLI630GPBF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRLI630GPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRLI630GPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 IRLI630GPBF 是一款 N 沟道增强型 MOSFET，广泛应用于多种电子设备中。其主要应用场景包括： 1. 电源管理：该器件适用于开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器和电池充电器，因其高效率和快速开关特性，有助于提高电源系统的整体性能。 2. 电机控制：在直流电机驱动和步进电机控制电路中，IRLI630GPBF 可作为功率开关使用，具备良好的导通电阻和电流承载能力，适合用于工业自动化和机器人系统。 3. 负载开关：可用于控制高功率负载的开启与关闭，如照明系统、加热元件和风扇等，具备良好的耐用性和稳定性。 4. 逆变器与UPS系统：在不间断电源（UPS）和逆变器中，该MOSFET可用于实现高效的电能转换和稳定输出。 5. 汽车电子：适用于汽车中的电子控制系统，如电动窗、座椅调节、发动机控制模块等，符合AEC-Q101汽车级标准，具备良好的可靠性和耐环境能力。 6. 消费类电子产品：如电源适配器、智能家电和电源管理模块中，用于实现高效能与低功耗设计。 该MOSFET具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性，适用于多种中高功率应用场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 200V 6.2A TO220FPMOSFET N-Chan 200V 6.2 Amp |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 6.2 A |
| Id-连续漏极电流 | 6.2 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRLI630GPBF- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRLI630GPBFIRLI630GPBF |
| Pd-PowerDissipation | 35 W |
| Pd-功率耗散 | 35 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 400 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 400 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 200 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 200 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 10 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 10 V |
| 上升时间 | 57 ns |
| 下降时间 | 33 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1100pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 40nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 400 毫欧 @ 3.7A，5V |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220-3 |
| 其它名称 | *IRLI630GPBF |
| 典型关闭延迟时间 | 38 ns |
| 功率-最大值 | 35W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 导通电阻 | 400 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 全封装，隔离接片 |
| 封装/箱体 | TO-220FP-3 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 汲极/源极击穿电压 | 200 V |
| 漏极连续电流 | 6.2 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 6.2A （Tc） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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