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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PMN34UN,135由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PMN34UN,135价格参考。NXP SemiconductorsPMN34UN,135封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载PMN34UN,135参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PMN34UN,135 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NXP USA Inc. 的 PMN34UN,135 是一款 P 沟道增强型 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),常用于电源管理和开关电路中。其主要应用场景包括: 1. 电源管理:适用于笔记本电脑、平板电脑、智能手机等便携式电子设备中的电池供电系统,作为负载开关或电源切换元件。 2. DC-DC 转换器:在低电压 DC-DC 转换电路中用作同步整流器或开关元件,提高转换效率。 3. 电机驱动与继电器驱动:用于小型电机控制或继电器的开关控制,实现对负载的高效通断管理。 4. 负载开关应用:如服务器、工业控制系统中的外围设备电源控制,能够有效降低待机功耗。 5. 保护电路:可应用于过流保护、反向电流阻断等场景,保障电路安全稳定运行。 该器件采用小型封装(如TSOP),适合高密度PCB布局,具备良好的热稳定性和快速响应能力,适合中低功率应用场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 4.9A 6TSOP |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | PMN34UN,135 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 700mV @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 790pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 9.9nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 46 毫欧 @ 2A,4.5V |
| 供应商器件封装 | 6-TSOP |
| 其它名称 | 568-7420-6 |
| 功率-最大值 | 1.75W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-74,SOT-457 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 4.9A (Tsp) |