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产品简介:
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IXYS品牌的IXFA110N15T2是一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),具有高电流、低导通电阻和快速开关特性。该器件广泛应用于需要高效功率转换与控制的电子系统中,典型应用场景包括: 1. 电源管理:用于DC-DC转换器、开关电源(SMPS)等,实现高效的能量转换,尤其适用于高频率工作环境。 2. 电机驱动:在直流电机或步进电机的驱动电路中作为功率开关使用,支持快速响应和精确控制。 3. 逆变器与UPS系统:用于不间断电源(UPS)或光伏逆变器中,将直流电转换为交流电,具备良好的热稳定性和过载能力。 4. 工业自动化设备:如PLC控制模块、工业电源模块等,提供可靠的高频开关性能。 5. 电动汽车相关应用:如车载充电器、电池管理系统中的功率控制部分。 该MOSFET采用TO-263封装,便于散热设计,适合高功率密度应用。其主要参数包括最大漏源电压150V、连续漏极电流高达110A,适用于对效率和可靠性要求较高的场合。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 150V 110A D2PAKMOSFET 110Amps 150V |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 110 A |
Id-连续漏极电流 | 110 A |
品牌 | IXYS |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,IXYS IXFA110N15T2TrenchT2™ |
数据手册 | |
产品型号 | IXFA110N15T2 |
Pd-PowerDissipation | 480 W |
Pd-功率耗散 | 480 W |
Qg-GateCharge | 150 nC |
Qg-栅极电荷 | 150 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 11 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 11 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 150 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 150 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 2.5 V |
Vgsth-栅源极阈值电压 | 2.5 V |
上升时间 | 16 ns |
下降时间 | 18 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4.5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 8600pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 150nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 13 毫欧 @ 500mA,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-263 (IXFA) |
典型关闭延迟时间 | 33 ns |
功率-最大值 | 480W |
包装 | 带卷 (TR) |
商标 | IXYS |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
封装/箱体 | D2PAK-2 |
工厂包装数量 | 50 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 175 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 800 |
正向跨导-最小值 | 75 S |
漏源极电压(Vdss) | 150V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 110A (Tc) |
系列 | IXFA110N15 |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single Dual Drain |