Datasheet下载- 型号： TPN2010FNH,L1Q
- 制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供TPN2010FNH,L1Q由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 TPN2010FNH,L1Q价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.TPN2010FNH,L1Q封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载TPN2010FNH,L1Q参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有TPN2010FNH,L1Q 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为 TPN2010FNH, L1Q 的晶体管，属于 Toshiba Semiconductor and Storage（东芝半导体与存储）旗下产品，是一款 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于 单沟道增强型功率 MOSFET。 主要应用场景包括： 1. 电源管理：适用于DC-DC转换器、开关电源（SMPS）等，用于高效能电能转换和调节。 2. 负载开关：在电池供电设备中作为电子开关，控制电源通断，如笔记本电脑、平板、智能手机等。 3. 电机驱动：用于小型电机或步进电机的控制电路中，常见于工业自动化设备或家用电器。 4. 逆变器与变频器：在小型逆变器系统中用于电流控制和转换。 5. 汽车电子：适用于车载电源系统、LED车灯驱动、电动助力转向系统等对可靠性要求高的场景。 该MOSFET具有低导通电阻（Rds(on)）、高效率、封装小巧等特点，适合高频率开关应用，有助于减少发热和提升系统能效。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N CH 250V TSON |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 数据手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TPN2010FNH |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | TPN2010FNH,L1Q |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 200µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 600pF @ 100V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 7nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 198 毫欧 @ 2.8A， 10V |
| 供应商器件封装 | 8-TSON高级 |
| 其它名称 | TPN2010FNHL1QDKR |
| 功率-最大值 | 39W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-PowerVDFN |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 250V |
| 特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/umosh-mosfets/52364 |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 5.6A （Ta） |
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