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  • 型号: TPN2010FNH,L1Q
  • 制造商: Toshiba America Electronic Components, Inc.
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供TPN2010FNH,L1Q由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 TPN2010FNH,L1Q价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.TPN2010FNH,L1Q封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载TPN2010FNH,L1Q参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有TPN2010FNH,L1Q 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N CH 250V TSON

产品分类

FET - 单

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

品牌

Toshiba Semiconductor and Storage

数据手册

http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TPN2010FNH

产品图片

产品型号

TPN2010FNH,L1Q

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 200µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

600pF @ 100V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

7nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

198 毫欧 @ 2.8A, 10V

供应商器件封装

8-TSON高级

其它名称

TPN2010FNHL1QDKR

功率-最大值

39W

包装

Digi-Reel®

安装类型

表面贴装

封装/外壳

8-PowerVDFN

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

250V

特色产品

http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/umosh-mosfets/52364

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

5.6A (Ta)

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