Datasheet下载- 型号： TK72E12N1,S1X
- 制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供TK72E12N1,S1X由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 TK72E12N1,S1X价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.TK72E12N1,S1X封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载TK72E12N1,S1X参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有TK72E12N1,S1X 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Toshiba Semiconductor and Storage的TK72E12N1,S1X是一款单通道MOSFET晶体管，其应用场景主要包括以下几个方面： 1. 开关电源（SMPS） - TK72E12N1,S1X适用于开关电源中的功率转换部分，作为高频开关元件使用。其低导通电阻和快速开关特性能够提高效率并减少能量损耗。 - 常见应用包括适配器、充电器以及DC-DC转换器。 2. 电机驱动 - 在小型电机驱动电路中，该MOSFET可用作开关器件，控制电机的启动、停止和速度调节。 - 适合用于家用电器（如风扇、水泵）或工业设备中的直流无刷电机（BLDC）驱动。 3. 负载开关 - 用于电子设备中的负载开关功能，实现对不同负载的快速开启和关闭。 - 例如，在智能手机、平板电脑或其他便携式设备中，作为电源管理的一部分。 4. 电池保护电路 - 在锂电池或可充电电池组中，TK72E12N1,S1X可以用作过流保护和短路保护的开关元件。 - 其低导通电阻有助于降低功耗，同时确保电池的安全运行。 5. 逆变器 - 在小型逆变器中，该MOSFET可以用于将直流电转换为交流电，适用于太阳能逆变器或不间断电源（UPS）系统。 6. LED驱动 - 用于高亮度LED灯条或背光驱动电路中，作为电流调节或PWM调光的开关元件。 - 其高效性能可减少热量积累，延长LED寿命。 特性总结： - 耐压能力：支持高达700V的漏源电压，适用于高压环境。 - 低导通电阻：减少功率损耗，提高整体效率。 - 快速开关特性：适合高频应用，降低开关损耗。 综上所述，TK72E12N1,S1X广泛应用于消费电子、工业控制、通信设备和汽车电子等领域，尤其在需要高效功率转换和开关操作的场景中表现出色。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N CH 120V 72A TO-220MOSFET N-Ch 120V 179A 225W UMOSVIII 130nC .0044 |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 179 A |
| Id-连续漏极电流 | 179 A |
| 品牌 | ToshibaToshiba Semiconductor and Storage |
| 产品手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TK72E12N1 |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Toshiba TK72E12N1,S1X- |
| 数据手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TK72E12N1 |
| 产品型号 | TK72E12N1,S1XTK72E12N1,S1X |
| Pd-PowerDissipation | 255 W |
| Pd-功率耗散 | 255 W |
| Qg-GateCharge | 130 nC |
| Qg-栅极电荷 | 130 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 3.6 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 3.6 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 120 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 120 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 2 V to 4 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 2 V to 4 V |
| 上升时间 | 33 ns |
| 下降时间 | 37 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 8100pF @ 60V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 130nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 4.4 毫欧 @ 36A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220-3 |
| 其它名称 | TK72E12N1S1X |
| 典型关闭延迟时间 | 120 ns |
| 功率-最大值 | 255W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Toshiba |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 120V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 72A （Ta） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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