Datasheet下载- 型号： FDP150N10A
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDP150N10A由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDP150N10A价格参考。Fairchild SemiconductorFDP150N10A封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FDP150N10A参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDP150N10A 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDP150N10A 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 N 沟道增强型 MOSFET，属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别的产品。它具有以下关键参数：耐压值为 100V，连续漏极电流可达 15A（在特定条件下），导通电阻低至 0.036Ω（典型值），并且支持较宽的工作温度范围（-55°C 至 +150°C）。这些特性使得该器件适用于多种电力电子应用场景： 1. 开关电源 (SMPS) - FDP150N10A 的低导通电阻和快速开关速度使其非常适合用于开关电源中的功率开关。无论是降压、升压还是反激式拓扑结构，这款 MOSFET 都能提供高效的能量转换。 2. 电机驱动 - 在小型直流电机或步进电机驱动电路中，该器件可以用作功率级开关。其低 Rds(on) 特性有助于减少功率损耗，提高整体效率，同时支持高频率 PWM 控制。 3. DC-DC 转换器 - 对于需要高效电压调节的 DC-DC 转换器应用，例如汽车电子系统或工业控制设备，FDP150N10A 可以作为同步整流 MOSFET 或主开关使用，确保稳定性和可靠性。 4. 负载切换与保护 - 在通信设备、服务器以及消费电子产品中，该 MOSFET 常被用作负载切换开关。它的低导通电阻减少了发热问题，而高电流承载能力则保证了对大负载的有效管理。 5. 逆变器 - 在光伏逆变器或其他类型的逆变器设计中，FDP150N10A 可充当高频开关元件，帮助实现从直流到交流的高效转换过程。 6. 电池管理系统 (BMS) - 用于电动车、储能系统或便携式设备的电池管理时，此 MOSFET 可作为充放电路径上的开关，确保安全且精确地控制电流流动。 综上所述，FDP150N10A 凭借其优异的电气性能和热性能，在众多需要高效功率转换和控制的应用领域中表现出色。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 50A TO-220-3 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | FDP150N10A |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | PowerTrench® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1440pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 21nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 15 毫欧 @ 50A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-220-3 |
| 功率-最大值 | 91W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 50A （Tc） |
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