Datasheet下载- 型号： FQI50N06TU
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQI50N06TU由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQI50N06TU价格参考。Fairchild SemiconductorFQI50N06TU封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FQI50N06TU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQI50N06TU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor（安森美）的FQI50N06TU是一款N沟道增强型功率MOSFET，属于晶体管中的场效应管（FET），广泛应用于中高功率开关场合。其额定电压为60V，连续漏极电流可达50A，具有低导通电阻和优良的开关性能，适合高效能、低损耗的设计需求。 该器件典型的应用场景包括：直流电机驱动，如电动工具、电动车窗及风扇控制；电源管理模块，如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器和稳压电路；逆变器与UPS系统中的功率切换；以及工业控制与消费类电子设备中的负载开关和电源保护电路。因其采用TO-220AB封装，具备良好的散热性能，适用于紧凑型高密度电源设计。 此外，FQI50N06TU也常用于电池供电系统和汽车电子应用，例如车载充电器或车身控制模块，得益于其高可靠性和温度稳定性。总体而言，这款MOSFET适用于需要高效、快速开关及大电流承载能力的中低压功率应用领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 50A I2PAKMOSFET 60V N-Channel QFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 50 A |
| Id-连续漏极电流 | 50 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FQI50N06TUQFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FQI50N06TU |
| Pd-PowerDissipation | 3.75 W |
| Pd-功率耗散 | 3.75 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 22 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 22 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 25 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 25 V |
| 上升时间 | 105 ns |
| 下降时间 | 65 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1540pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 41nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 22 毫欧 @ 25A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | I2PAK |
| 典型关闭延迟时间 | 60 ns |
| 功率-最大值 | 3.75W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 2.084 g |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 导通电阻 | 22 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 封装/箱体 | I2PAK-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 正向跨导-最小值 | 22 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 60 V |
| 漏极连续电流 | 50 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 50A （Tc） |
| 系列 | FQI50N06 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | FQI50N06TU_NL |
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