Datasheet下载- 型号： IRF7493PBF
- 制造商： International Rectifier
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF7493PBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF7493PBF价格参考。International RectifierIRF7493PBF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRF7493PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF7493PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌科技）生产的IRF7493PBF是一款N沟道增强型MOSFET晶体管，属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别。其主要应用场景包括但不限于以下领域： 1. 电源管理：IRF7493PBF广泛应用于开关电源（SMPS）、直流-直流转换器和电压调节模块中，因其具有低导通电阻（Rds(on)）和高开关速度，能够高效地控制电流流动并减少能量损耗。 2. 电机驱动与控制：该器件适合用于无刷直流电机（BLDC）、步进电机及其它类型电机的驱动电路中，提供精确的功率输出以实现平稳运行和快速响应。 3. 负载切换：在需要频繁开启或关闭大电流负载的应用场合，例如汽车电子系统中的继电器替代方案或者工业自动化设备中的负载切换，IRF7493PBF可以确保可靠的操作性能。 4. 逆变器设计：太阳能逆变器和其他类型的电力逆变器也会采用此类MOSFET，用以将直流电转换成交流电供家用电器使用。 5. 电池保护电路：对于便携式电子产品如笔记本电脑、智能手机等内部的锂离子电池组，可以通过配置IRF7493PBF来构建过充/过放保护机制，延长电池寿命。 6. 音频放大器：部分高性能音频功放也会利用这种MOSFET作为输出级元件，以获得更好的线性和更低失真度。 总之，凭借其优异的电气特性和稳健的设计结构，IRF7493PBF非常适合于要求高效率、小尺寸以及良好散热性能的各种现代电子应用当中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 80V 9.3A 8-SOICMOSFET 80V 1 N-CH HEXFET 15mOhms 31nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 9.2 A |
| Id-连续漏极电流 | 9.2 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF7493PBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRF7493PBF |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 2.5 W |
| Pd-功率耗散 | 2.5 W |
| Qg-GateCharge | 31 nC |
| Qg-栅极电荷 | 31 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 15 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 15 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 80 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 80 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 7.5 ns |
| 下降时间 | 12 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1510pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 53nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 15 毫欧 @ 5.6A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 典型关闭延迟时间 | 30 ns |
| 功率-最大值 | 2.5W |
| 功率耗散 | 2.5 W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 15 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SOIC-8 |
| 工厂包装数量 | 95 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极电荷Qg | 31 nC |
| 标准包装 | 95 |
| 汲极/源极击穿电压 | 80 V |
| 漏极连续电流 | 9.2 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 80V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 9.3A （Tc） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Quad Drain Triple Source |
| 闸/源击穿电压 | 20 V |
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