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Datasheet下载- 型号： IRF7465PBF
- 制造商： International Rectifier
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF7465PBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF7465PBF价格参考。International RectifierIRF7465PBF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRF7465PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF7465PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IRF7465PBF是由Infineon Technologies（英飞凌科技）生产的一款N沟道增强型MOSFET晶体管，属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别。以下是该型号的主要应用场景： 1. 开关电源（SMPS） - IRF7465PBF具有低导通电阻（Rds(on)）和快速开关特性，适用于开关电源中的高频开关应用。例如，在DC-DC转换器中作为同步整流器或主开关使用，能够提高效率并降低功耗。 2. 电机驱动 - 在小型直流电机或步进电机的驱动电路中，IRF7465PBF可以用作功率开关，控制电机的启动、停止和速度调节。其高电流承载能力和低损耗特性使其非常适合此类应用。 3. 电池管理 - 用于锂离子电池或其他可充电电池组的保护电路中，作为充放电路径的开关元件。它可以有效防止过流、短路或反向电流对电池造成损害。 4. 负载切换 - 在消费电子设备中，如笔记本电脑、平板电脑或智能手机的电源管理系统中，IRF7465PBF可用于动态切换不同的负载状态，确保设备在待机或工作模式下高效运行。 5. 逆变器 - 在小型光伏逆变器或UPS（不间断电源）系统中，该MOSFET可以用于将直流电转换为交流电的过程，提供稳定且高效的电力输出。 6. 音频放大器 - 在D类音频放大器中，IRF7465PBF可用作输出级开关，实现高效的音频信号放大，同时减少热量产生。 7. 汽车电子 - 在车载电子设备中，如车窗升降器、座椅调节器或冷却风扇控制系统中，IRF7465PBF可以作为功率开关，满足汽车环境下的高可靠性和耐久性要求。 总结 IRF7465PBF凭借其优异的电气性能（如低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性），广泛应用于各种需要高效功率转换和开关控制的场景。它特别适合于需要高能效和小体积解决方案的设计场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 150V 1.9A 8-SOICMOSFET 150V 1 N-CH HEXFET 280mOhms 10nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 1.9 A |
| Id-连续漏极电流 | 1.9 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF7465PBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRF7465PBF |
| Pd-PowerDissipation | 2.5 W |
| Pd-功率耗散 | 2.5 W |
| Qg-GateCharge | 10 nC |
| Qg-栅极电荷 | 10 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 280 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 280 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 150 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 150 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| 上升时间 | 1.2 ns |
| 下降时间 | 9 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 330pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 15nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 280 毫欧 @ 1.14A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 典型关闭延迟时间 | 10 ns |
| 功率-最大值 | 2.5W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 280 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SOIC-8 |
| 工厂包装数量 | 95 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 95 |
| 汲极/源极击穿电压 | 150 V |
| 漏极连续电流 | 1.9 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 150V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 1.9A （Ta） |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irf7465.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irf7465.spi |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Quad Drain Triple Source |
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