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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SIHG20N50E-GE3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SIHG20N50E-GE3价格参考。VishaySIHG20N50E-GE3封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载SIHG20N50E-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SIHG20N50E-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SIHG20N50E-GE3 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET,广泛应用于需要高效、高耐压和低导通电阻的场合。该器件具有 500V 的漏源击穿电压和 20A 的连续漏极电流能力,适用于多种电源管理和功率转换场景。 主要应用场景包括: 1. 电源适配器与充电器:用于笔记本电脑、手机等电子设备的开关电源中,实现高效能 DC-DC 或 AC-DC 转换。 2. 电机驱动:在直流电机或步进电机控制电路中作为开关元件,提供快速响应和良好热稳定性。 3. 照明系统:如 LED 驱动电源,用于调光与恒流控制,支持高效率和小体积设计。 4. 工业自动化设备:如 PLC、伺服驱动器等,用于高频率开关控制和负载切换。 5. 新能源领域:例如太阳能逆变器、储能系统中的功率转换模块,利用其高可靠性和耐压能力。 6. 汽车电子:车载电源系统、电池管理系统(BMS)中的开关控制元件。 该 MOSFET 封装形式为 TO-220,便于散热和安装,适合通孔焊接,适用于中高功率应用场景。其低导通电阻和快速开关特性有助于降低损耗,提高系统效率。