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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SI9433BDY-T1-E3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI9433BDY-T1-E3价格参考¥3.30-¥5.91。VishaySI9433BDY-T1-E3封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载SI9433BDY-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SI9433BDY-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI9433BDY-T1-E3 是一款 N 沟道增强型 MOSFET,广泛应用于各种电子电路中。以下是其主要应用场景: 1. 电源管理 - DC-DC 转换器:用于降压或升压转换器中的开关器件,实现高效的电压调节。 - 负载开关:作为负载开关控制电路的通断,保护后级电路免受过流或短路的影响。 - 电池管理:在电池充电和放电过程中,用作开关或保护元件,防止过充、过放或过流。 2. 电机驱动 - 在小型直流电机或步进电机驱动中,SI9433BDY-T1-E3 可用作功率开关,控制电机的启动、停止和速度调节。 3. 消费电子 - 便携式设备:如智能手机、平板电脑和笔记本电脑中的电源管理模块。 - 音频设备:用于音频功放电路中的开关或保护元件。 4. 通信设备 - 在路由器、交换机等网络设备中,作为电源开关或信号隔离元件。 - 用于通信模块的电源控制,确保稳定供电。 5. 工业应用 - 传感器接口:用于传感器的电源切换或信号调理电路。 - 工业自动化:在可编程逻辑控制器(PLC)或继电器驱动电路中作为开关元件。 6. 汽车电子 - 车载电子系统:如信息娱乐系统、车窗升降控制、座椅加热等应用中的开关元件。 - LED 驱动:用于汽车 LED 灯光系统的驱动和调光。 特性优势: - 低导通电阻 (Rds(on)):降低功耗,提高效率。 - 高电流能力:支持大电流应用。 - 快速开关特性:适合高频开关应用。 - 小型封装:节省 PCB 空间,便于设计紧凑型产品。 综上所述,SI9433BDY-T1-E3 适用于需要高效功率开关的场景,特别是在便携式设备、电源管理和电机驱动等领域表现优异。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 4.5A 8-SOICMOSFET 20V 6.2A 0.04Ohm |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 4.5 A |
| Id-连续漏极电流 | 4.5 A |
| 品牌 | Vishay SiliconixVishay / Siliconix |
| 产品手册 | http://www.vishay.com/doc?72755 |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI9433BDY-T1-E3- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI9433BDY-T1-E3SI9433BDY-T1-E3 |
| Pd-PowerDissipation | 1.3 W |
| Pd-功率耗散 | 1.3 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 40 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 40 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 12 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 12 V |
| 上升时间 | 55 ns |
| 下降时间 | 55 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 14nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 40 毫欧 @ 6.2A,4.5V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 其它名称 | SI9433BDY-T1-E3DKR |
| 典型关闭延迟时间 | 65 ns |
| 功率-最大值 | 1.3W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 商标名 | TrenchFET/PowerPAK |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 40 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
| 封装/箱体 | SO-8 |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 15 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 20 V |
| 漏极连续电流 | 4.5 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 4.5A (Ta) |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | SI9433BDY-E3 |