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Datasheet下载- 型号： TK2Q60D(Q)
- 制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供TK2Q60D(Q)由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 TK2Q60D(Q)价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.TK2Q60D(Q)封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载TK2Q60D(Q)参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有TK2Q60D(Q) 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Toshiba半导体与存储推出的型号为TK2Q60D(Q)的MOSFET，属于N沟道功率场效应晶体管（FET），广泛应用于需要高效、低功耗开关性能的电子设备中。该器件具有60V的漏源电压（VDS）和较高的导通电流能力，搭配低导通电阻（RDS(on)），有助于减少能量损耗，提高系统效率。 TK2Q60D(Q)典型的应用场景包括： 1. 电源管理电路：适用于DC-DC转换器、同步整流模块和负载开关，尤其在便携式设备如智能手机、平板电脑和笔记本电脑中用于电池供电管理。 2. 电机驱动：可用于小型直流电机或步进电机的控制，常见于家用电器（如风扇、电动牙刷）和工业小型自动化设备中。 3. LED照明驱动：在高亮度LED驱动电源中作为开关元件，实现高效调光与恒流控制。 4. 消费类电子产品：如充电器、适配器和USB PD电源模块，凭借其小封装和高效率优势，适合空间受限的设计。 5. 绿色能源系统：在太阳能充电控制器或小型储能系统中用于功率切换和保护。 该MOSFET采用紧凑型封装（如SOP Advance），有利于节省PCB空间，同时具备良好的热稳定性和可靠性，适合高密度集成设计。总体而言，TK2Q60D(Q)是一款面向中低功率应用的高性能MOSFET，适用于追求能效与小型化的现代电子系统。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| Ciss-输入电容 | 280 pF |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 2A PW-MOLDMOSFET N-Ch MOS 2A 600V 60W 280pF 4.3 Ohm |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 2 A |
| Id-连续漏极电流 | 2 A |
| 品牌 | ToshibaToshiba Semiconductor and Storage |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Toshiba TK2Q60D(Q)- |
| 数据手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TK2Q60D点击此处下载产品Datasheet |
| 产品型号 | TK2Q60D(Q)TK2Q60D(Q) |
| Pd-PowerDissipation | 60 W |
| Pd-功率耗散 | 60 W |
| Qg-GateCharge | 7 nC |
| Qg-栅极电荷 | 7 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 3.2 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 4.3 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 600 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 2.4 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 2.4 V |
| 上升时间 | 15 ns |
| 下降时间 | 7 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4.4V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 280pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 7nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 4.3 欧姆 @ 1A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PW-MOLD2 |
| 其它名称 | TK2Q60DQ |
| 典型关闭延迟时间 | 55 ns |
| 功率-最大值 | 60W |
| 包装 | 散装 |
| 商标 | Toshiba |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |
| 封装/箱体 | 2-7J2B-3 |
| 工厂包装数量 | 200 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 200 |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2A （Ta） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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