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  • 型号: DMN2022UFDF-7
  • 制造商: Diodes Inc.
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供DMN2022UFDF-7由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DMN2022UFDF-7价格参考。Diodes Inc.DMN2022UFDF-7封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载DMN2022UFDF-7参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有DMN2022UFDF-7 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 20V 7.9A 6DFN

产品分类

FET - 单

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

品牌

Diodes Incorporated

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品图片

产品型号

DMN2022UFDF-7

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

1V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

907pF @ 10V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

18nC @ 8V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

22 毫欧 @ 4A,4.5V

供应商器件封装

6-UDFN2020(2x2)

其它名称

DMN2022UFDF-7DIDKR

功率-最大值

660mW

包装

Digi-Reel®

安装类型

表面贴装

封装/外壳

6-UDFN 裸露焊盘

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

20V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

7.9A (Ta)

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