Datasheet下载- 型号： DMN2022UFDF-7
- 制造商： Diodes Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供DMN2022UFDF-7由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DMN2022UFDF-7价格参考。Diodes Inc.DMN2022UFDF-7封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载DMN2022UFDF-7参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有DMN2022UFDF-7 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Diodes Incorporated 的 DMN2022UFDF-7 是一款N沟道MOSFET，采用1.2V驱动技术，具有低导通电阻（RDS(on)）和小尺寸封装（DFN1006-3），适用于空间受限的便携式设备。其主要应用场景包括： 1. 移动电子设备：广泛用于智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的电源管理与负载开关，因其低功耗和高效率，有助于延长电池续航。 2. 电池管理系统（BMS）：在锂电池保护电路中用作充放电控制开关，提供快速响应和可靠保护，防止过流、短路等故障。 3. DC-DC转换器：作为同步整流或开关元件，提升转换效率，适用于低压、高效率的电源模块设计。 4. 信号切换与逻辑电路：用于小型电子模块中的信号通断控制，如传感器开关、LED驱动等，得益于其快速开关特性和低阈值电压。 5. 物联网（IoT）设备：在低功耗无线模块（如蓝牙、Wi-Fi模组）中实现电源选通和节能控制。 该器件工作电压适中（最高耐压20V），适合1.8V至5V系统，配合小型化封装，非常适合高密度PCB布局。综合性能使其成为消费类电子、工业控制和便携式电源系统中的理想选择。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 20V 7.9A 6DFN |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | DMN2022UFDF-7 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 907pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 18nC @ 8V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 22 毫欧 @ 4A，4.5V |
| 供应商器件封装 | 6-UDFN2020（2x2） |
| 其它名称 | DMN2022UFDF-7DIDKR |
| 功率-最大值 | 660mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-UDFN 裸露焊盘 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 7.9A （Ta） |
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