Datasheet下载- 型号： VMO580-02F
- 制造商： IXYS
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供VMO580-02F由IXYS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 VMO580-02F价格参考。IXYSVMO580-02F封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载VMO580-02F参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有VMO580-02F 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
VMO580-02F 是Littelfuse公司推出的单通道、增强型N沟道垂直功率MOSFET（采用TO-220AB封装），主要面向中高功率开关应用。其典型应用场景包括： 1. 电源管理：用于AC-DC适配器、开关电源（SMPS）中的主开关管或同步整流管，支持高频、高效率工作； 2. 电机驱动：适用于中小功率直流电机、步进电机及风扇控制电路，具备低导通电阻（Rds(on) ≈ 0.2Ω @ Vgs=10V）和较强电流承载能力（ID=8A连续，IDM=32A脉冲）； 3. 负载开关与热插拔保护：在工业控制板、通信设备电源模块中作为电子保险丝或电源路径管理器件，配合外部驱动可实现快速过流/短路保护； 4. 照明驱动：LED恒流驱动电路中的PWM调光开关元件，响应快、开关损耗低； 5. 汽车电子辅助系统：符合AEC-Q101初步标准（需确认具体批次认证），可用于车身控制模块（BCM）、座椅/车窗驱动等非安全关键类12V车载负载开关。 该器件具有雪崩耐受能力、低栅极电荷（Qg≈25nC）及优化的体二极管特性，适合硬开关与部分软开关拓扑。设计时需注意散热（建议加装散热片）及栅极驱动稳定性（推荐10–15V驱动电压）。不适用于高频射频或高压（>100V）主电源场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 200V 580A MODULE |
| 产品分类 | FET - 模块 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | IXYS |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | VMO580-02F |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | HiPerFET™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 50mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 2750nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 3.8 毫欧 @ 430A，10V |
| 供应商器件封装 | Y3-Li |
| 其它名称 | Q1221985A |
| 功率-最大值 | - |
| 包装 | 散装 |
| 安装类型 | 底座安装 |
| 封装/外壳 | Y3-Li |
| 标准包装 | 2 |
| 漏源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 580A |
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