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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SIB422EDK-T1-GE3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SIB422EDK-T1-GE3价格参考。VishaySIB422EDK-T1-GE3封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载SIB422EDK-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SIB422EDK-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SIB422EDK-T1-GE3 是一款 N 沟道增强型 MOSFET,广泛应用于需要高效功率开关的场景。其主要特点包括低导通电阻、高耐压和良好的热稳定性,适用于电源管理、电机控制、负载开关和DC-DC转换器等电路设计。该器件常用于工业自动化设备、电源适配器、电池管理系统及汽车电子系统中,如车载充电器和电机驱动模块。此外,其高可靠性和紧凑封装使其适合空间受限和高密度电路板设计。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 20V 9A SC-75-6MOSFET 20V 9.0A 13W 30mohm @ 4.5V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平栅极,1.5V 驱动 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 9 A |
| Id-连续漏极电流 | 9 A |
| 品牌 | Vishay SiliconixVishay / Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SIB422EDK-T1-GE3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SIB422EDK-T1-GE3SIB422EDK-T1-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 13 W |
| Pd-功率耗散 | 13 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 82 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 82 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 8 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | +/- 8 V |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 18nC @ 8V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 30 毫欧 @ 5A,4.5V |
| 产品种类 | N-Channel MOSFETs |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® SC-75-6L 单 |
| 其它名称 | SIB422EDK-T1-GE3DKR |
| 功率-最大值 | 13W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | PowerPAK® SC-75-6L |
| 封装/箱体 | PowerPAK SC-75-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 9A (Tc) |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | SIB422EDK-GE3 |