Datasheet下载- 型号： SI1405DL-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI1405DL-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI1405DL-T1-GE3价格参考。VishaySI1405DL-T1-GE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI1405DL-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI1405DL-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix的SI1405DL-T1-GE3是一款N沟道增强型MOSFET，其主要应用场景包括： 1. 电源管理：该器件适用于各种开关电源（SMPS）、DC-DC转换器和电压调节模块（VRM）。由于其低导通电阻（Rds(on)），能够有效降低功耗并提高效率。 2. 负载开关：在便携式设备中用作负载开关，控制电路的开启与关闭，确保系统启动时平稳运行，并减少待机功耗。 3. 电机驱动：用于小型直流电机或步进电机驱动电路中，提供高效且可靠的电流切换能力。 4. 电池保护：应用于锂电池保护板中，防止过充、过放及短路等问题发生。 5. 信号切换：可用于音频信号或其他低频模拟信号的切换，保证信号完整性的同时降低失真。 6. 汽车电子：满足车载电子产品对高可靠性和稳定性的要求，如车身控制系统、信息娱乐系统等。 7. 消费类电子产品：广泛应用于智能手机、平板电脑、笔记本电脑适配器以及其他便携式电子产品中。 SI1405DL-T1-GE3具有出色的电气特性，例如较低的导通电阻（典型值为8.5mΩ@Vgs=4.5V）以及较高的连续漏极电流能力（最大可达30A），使其非常适合需要高效能和小尺寸解决方案的应用场合。此外，它采用DFN2020-8封装形式，有助于节省PCB空间并简化设计过程。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 8V 1.6A SC-70-6 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SI1405DL-T1-GE3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 450mV @ 250µA （最小） |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 7nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 125 毫欧 @ 1.8A，4.5V |
| 供应商器件封装 | SC-70-6 （SOT-363） |
| 功率-最大值 | 568mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 8V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 1.6A （Ta） |
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