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产品简介:
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NVD6415ANLT4G 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款单N沟道增强型MOSFET。该器件广泛应用于需要高效、高可靠性和高开关速度的电路中,适合中高功率场合。 其主要应用场景包括: 1. 电源管理:用于DC-DC转换器、电源开关、负载开关等,实现高效的电能转换与分配。 2. 电机控制:适用于直流电机、步进电机的驱动电路,提供快速开关和良好的热稳定性。 3. 工业自动化:在PLC、工业继电器替代方案中用作高频率开关器件。 4. 汽车电子:用于车载电源系统、LED照明驱动、电机控制等符合汽车级工作温度和可靠性要求的应用。 5. 消费电子:如充电器、适配器、智能家电中的功率开关元件。 该MOSFET具有低导通电阻(Rds(on))、高电流承载能力和良好的散热设计,适合在高效率和小尺寸设计中使用。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 100V 23A DPAK-4 |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | ON Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | NVD6415ANLT4G |
PCN过时产品 | |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1024pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 20nC @ 4.5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 52 毫欧 @ 10A,10V |
供应商器件封装 | D-Pak |
功率-最大值 | 83W |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
标准包装 | 2,500 |
漏源极电压(Vdss) | 100V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 23A (Tc) |