Datasheet下载- 型号： FDS6692A
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDS6692A由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDS6692A价格参考。Fairchild SemiconductorFDS6692A封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FDS6692A参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDS6692A 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDS6692A 是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款MOSFET器件，常用于电源管理和开关应用中。它属于N沟道增强型MOSFET，具有低导通电阻、高效率和良好的热稳定性，适合用于需要高效能和紧凑设计的电子设备。 该器件的典型应用场景包括： 1. DC-DC转换器：用于电源转换电路中，提高能量转换效率，广泛应用于通信设备、工业控制和便携式电子产品。 2. 负载开关：作为电子开关控制负载的通断，例如在电源管理系统中用于控制不同模块的供电。 3. 马达驱动：用于小型马达或直流马达的驱动电路中，实现对马达启停和转速的控制。 4. 电池管理系统（BMS）：在电池充放电管理中作为开关元件，保护电池组免受过流或短路损害。 5. 电源逆变器与UPS系统：用于不间断电源或逆变器中，作为高频开关元件提升系统效率。 6. LED照明驱动：在LED驱动电路中作为调光或开关控制元件，实现节能和亮度调节功能。 FDS6692A因其高可靠性与高效率，广泛应用于消费电子、工业自动化、通信设备及汽车电子等领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOICMOSFET 30V 9A 11.5 OHM NCH POWER TR |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 9 A |
| Id-连续漏极电流 | 9 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDS6692APowerTrench® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FDS6692A |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 1.47 W |
| Pd-功率耗散 | 1.47 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 8.2 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 8.2 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 32 ns |
| 下降时间 | 32 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1610pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 29nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 11.5 毫欧 @ 9A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC N |
| 其它名称 | FDS6692ATR |
| 典型关闭延迟时间 | 33 ns |
| 功率-最大值 | 1.47W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 单位重量 | 187 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SO-8 |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 9A （Ta） |
| 系列 | FDS6692 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Quad Drain Triple Source |
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