【未分类_2SK4124-1E】封装/厂家_2SK4124-1E中文资料_价格

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型号： 2SK4124-1E
制造商： ON Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供2SK4124-1E由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2SK4124-1E价格参考。ON Semiconductor2SK4124-1E封装/规格：未分类，暂无。您可以下载2SK4124-1E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有2SK4124-1E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

2SK4124-1E 是由 ON Semiconductor 提供的一款 N 通道 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别。以下是该型号的主要应用场景：

 1. 电源管理
   - 开关电源 (SMPS)：2SK4124-1E 可用于开关电源中的功率开关，实现高效的 DC-DC 转换或 AC-DC 转换。
   - 负载开关：在需要动态控制电流流向的电路中，该 MOSFET 可用作负载开关，快速切换负载的通断状态。
   - 电压调节器：适用于低压降 (LDO) 稳压器或同步整流器设计。

 2. 电机驱动
   - 小型直流电机控制：该 MOSFET 可用于驱动低功率直流电机，通过 PWM（脉宽调制）信号实现速度和方向控制。
   - H 桥电路：作为 H 桥的一部分，用于双向电机控制或伺服电机应用。

 3. 信号切换与隔离
   - 信号路由：在多路复用器或多路选择器中，2SK4124-1E 可用于信号路径的选择和切换。
   - 隔离电路：在需要电气隔离的场合，例如工业控制系统或通信设备中，该器件可以起到信号隔离的作用。

 4. 保护电路
   - 过流保护：利用其低导通电阻特性，可以在电路中实现过流检测和保护功能。
   - 短路保护：结合外部保护电路，防止负载短路时对系统造成损害。

 5. 音频放大器
   - 在低功率音频放大器中，该 MOSFET 可用作输出级器件，提供高效率和低失真的音频信号放大。

 6. 电池管理系统 (BMS)
   - 充放电控制：用于锂电池或其他可充电电池的充放电管理，确保电池的安全和高效使用。
   - 电量监测：配合电流检测电路，实现对电池电量的精确监控。

 总结
2SK4124-1E 的主要特点包括低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性，因此非常适合应用于消费电子、工业控制、汽车电子以及通信设备等领域。具体使用时需根据实际需求选择合适的外围电路和散热方案，以充分发挥其性能优势。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET N-CH 500V 20A
产品分类	FET - 单
FET功能	标准
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
品牌	ON Semiconductor
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	2SK4124-1E
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	-
不同Vds时的输入电容(Ciss)	1200pF @ 30V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	46.6nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	430 毫欧 @ 8A，10V
供应商器件封装	TO-3P-3，SC-65-3
功率-最大值	2.5W
包装	管件
安装类型	通孔
封装/外壳	TO-3P-3，SC-65-3
标准包装	30
漏源极电压(Vdss)	500V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	20A （Ta）