Datasheet下载- 型号： FDP65N06
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDP65N06由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDP65N06价格参考。Fairchild SemiconductorFDP65N06封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FDP65N06参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDP65N06 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDP65N06 是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款N沟道增强型MOSFET，广泛应用于需要高效功率控制的场合。该器件具有低导通电阻、高耐压和大电流承载能力的特点，适用于以下主要应用场景： 1. 电源管理：如DC-DC转换器、开关电源（SMPS），用于提高能效和减小电源体积。 2. 电机驱动：在直流电机或步进电机控制电路中作为功率开关，实现对电机速度与方向的调节。 3. 逆变器与UPS系统：用于不间断电源或太阳能逆变器中，进行直流到交流的电能转换。 4. 电池充电管理系统：用于保护电路中的充放电控制，提升系统安全性。 5. 工业自动化设备：如PLC控制输出模块、继电器替代方案等，提供快速开关响应和可靠性。 6. 汽车电子：如车载电源系统、LED照明驱动等，满足车用环境对稳定性和耐用性的要求。 综上，FDP65N06因其高性能和稳定性，被广泛用于工业、通信、消费类及汽车电子等领域中的功率控制应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 65A TO-220MOSFET 60V N-Channel MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 65 A |
| Id-连续漏极电流 | 65 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDP65N06UniFET™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FDP65N06 |
| Pd-PowerDissipation | 135 W |
| Pd-功率耗散 | 135 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 16 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 16 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 94 ns |
| 下降时间 | 52 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2170pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 43nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 16 毫欧 @ 32.5A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220 |
| 典型关闭延迟时间 | 98 ns |
| 功率-最大值 | 135W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 1.800 g |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 导通电阻 | 16 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 汲极/源极击穿电压 | 60 V |
| 漏极连续电流 | 65 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 65A （Tc） |
| 系列 | FDP65N06 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
