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Datasheet下载- 型号： FQB55N10TM
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQB55N10TM由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQB55N10TM价格参考。Fairchild SemiconductorFQB55N10TM封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FQB55N10TM参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQB55N10TM 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQB55N10TM 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 N 沟道增强型 MOSFET，属于晶体管 - FET、MOSFET - 单一类别。以下是该型号的一些典型应用场景： 1. 开关电源（SMPS） - FQB55N10TM 的耐压为 100V，导通电阻较低，适合用作开关电源中的功率开关器件。 - 常见于 DC-DC 转换器、AC-DC 适配器以及反激式变换器中，用于高效能量转换。 2. 电机驱动 - 适用于小型直流电机或步进电机的驱动电路。 - 可作为 H 桥电路的一部分，实现电机的正转、反转和速度控制。 3. 负载开关 - 在消费类电子产品中，可以用作负载开关，控制不同电路模块的供电状态。 - 例如在智能手机、平板电脑等设备中，用于管理电池与负载之间的连接。 4. LED 驱动 - 用于高亮度 LED 的恒流驱动电路，提供精确的电流控制。 - 适用于汽车照明（如尾灯、刹车灯）或工业照明领域。 5. 电池管理系统（BMS） - 在电池保护电路中，作为充放电路径的开关元件。 - 可以防止过流、短路或过压对电池造成损害。 6. 逆变器 - 在小型逆变器中，用于将直流电转换为交流电。 - 例如家用太阳能逆变器或便携式逆变器。 7. 保护电路 - 用于过流保护、短路保护或热保护电路。 - 其低导通电阻特性可以减少功率损耗，提高系统效率。 8. 音频放大器 - 在 D 类音频放大器中，用作输出级开关元件。 - 提供高效的音频信号放大功能。 总结 FQB55N10TM 凭借其 100V 的额定电压、低导通电阻和良好的开关性能，广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子和通信设备等领域。具体选择时需要根据实际电路需求，考虑其最大电流、散热设计以及驱动条件等因素。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 55A D2PAKMOSFET 100V N-Channel QFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 55 A |
| Id-连续漏极电流 | 55 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FQB55N10TMQFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FQB55N10TM |
| PCN封装 | |
| Pd-PowerDissipation | 3.75 W |
| Pd-功率耗散 | 3.75 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 26 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 26 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 25 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 25 V |
| 上升时间 | 250 ns |
| 下降时间 | 140 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2730pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 98nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 26 毫欧 @ 27.5A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D²PAK |
| 其它名称 | FQB55N10TMDKR |
| 典型关闭延迟时间 | 110 ns |
| 功率-最大值 | 3.75W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 单位重量 | 1.312 g |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 800 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 38 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 55A （Tc） |
| 系列 | FQB55N10 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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