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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供NDF08N60ZG由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NDF08N60ZG价格参考。ON SemiconductorNDF08N60ZG封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载NDF08N60ZG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NDF08N60ZG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
安森美半导体(ON Semiconductor)的NDF08N60ZG是一款N沟道增强型功率MOSFET,属于FET晶体管中的一种。该器件具有8A电流容量和600V的漏源击穿电压,适用于中高功率开关应用。 NDF08N60ZG主要应用于以下场景: 1. 电源管理:如AC-DC电源适配器、开关电源(SMPS)中,用于高效能开关操作,提升能源转换效率。 2. 电机控制:在小型电机驱动器、风扇控制和电动工具中,作为功率开关使用。 3. 照明系统:包括LED照明驱动电源和电子镇流器等,用于高频开关和稳定电流输出。 4. 消费电子产品:如电视电源、充电器、机顶盒等设备中的功率转换模块。 5. 工业自动化:用于工业控制设备中的电源管理和负载开关,具有高可靠性和稳定性。 该MOSFET采用TO-220封装,散热性能良好,适合需要中等功率处理能力的电路设计。其低导通电阻(Rds(on))有助于减少功率损耗,提高系统效率。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220FPMOSFET 600V 0.95 OHM TO- 220FP |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 7.5 A |
| Id-连续漏极电流 | 7.5 A |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NDF08N60ZG- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NDF08N60ZG |
| Pd-PowerDissipation | 35 W |
| Pd-功率耗散 | 35 W |
| Qg-GateCharge | 39 nC |
| Qg-栅极电荷 | 39 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 950 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 950 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 600 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 4.5 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 4.5 V |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4.5V @ 100µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1140pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 39nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 950 毫欧 @ 3.5A,10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220FP |
| 其它名称 | NDF08N60ZG-ND |
| 功率-最大值 | 35W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
| 封装/箱体 | TO-220FP-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 正向跨导-最小值 | 6.3 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 8.4A (Tc) |
| 配置 | Single |