Datasheet下载- 型号： ZVN0545GTA
- 制造商： Diodes Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供ZVN0545GTA由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ZVN0545GTA价格参考。Diodes Inc.ZVN0545GTA封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载ZVN0545GTA参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有ZVN0545GTA 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Diodes Incorporated的ZVN0545GTA是一款N沟道增强型MOSFET，其主要应用场景包括但不限于以下领域： 1. 开关电源（SMPS）：该MOSFET适用于各种开关电源设计，如DC-DC转换器、降压或升压电路等。其低导通电阻（Rds(on)）特性有助于减少功率损耗，提高效率。 2. 电池管理：在便携式设备中，ZVN0545GTA可用于电池保护电路，实现过流保护、短路保护以及负载切换等功能。 3. 电机驱动：小型直流电机或步进电机的驱动电路中，该器件可用作开关元件，控制电机的启动、停止及速度调节。 4. 信号切换：在需要高速信号切换的应用中，如音频放大器、数据通信接口等，ZVN0545GTA能够提供快速的开关性能和较低的信号失真。 5. 负载开关：用于管理电子设备中的电源分配，确保系统上电和断电过程平稳，避免电流冲击对其他组件的影响。 6. LED驱动：在LED照明应用中，此MOSFET可以用来调节电流，保证LED亮度稳定，并支持调光功能。 7. 消费类电子产品：广泛应用于手机充电器、平板电脑适配器、笔记本电脑等消费类产品的电源管理模块中。 8. 工业控制：在工业自动化领域，可作为传感器接口、继电器驱动或其他控制信号的开关元件。 由于其封装小巧（SOT-23），ZVN0545GTA非常适合空间受限的设计，同时其电气参数也使其成为低功耗、高效能解决方案的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 450V 140MA SOT223MOSFET N-Chnl 450V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 140 mA |
| Id-连续漏极电流 | 140 mA |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated ZVN0545GTA- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | ZVN0545GTA |
| Pd-PowerDissipation | 2 W |
| Pd-功率耗散 | 2 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 50 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 50 Ohms |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 450 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 450 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 7 ns |
| 下降时间 | 10 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 70pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 50 欧姆 @ 100mA，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-223 |
| 其它名称 | ZVN0545GTR |
| 其它图纸 |
|
| 典型关闭延迟时间 | 16 ns |
| 功率-最大值 | 2W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 50 Ohms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
| 封装/箱体 | SOT-223-3 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1,000 |
| 汲极/源极击穿电压 | 450 V |
| 漏极连续电流 | 140 mA |
| 漏源极电压(Vdss) | 450V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 140mA （Ta） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Dual Drain |
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