Datasheet下载- 型号： STB6NK60ZT4
- 制造商： STMicroelectronics
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STB6NK60ZT4由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STB6NK60ZT4价格参考。STMicroelectronicsSTB6NK60ZT4封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载STB6NK60ZT4参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STB6NK60ZT4 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics 的 STB6NK60ZT4 是一款高压超级结 MOSFET，属于晶体管中的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件耐压高达 600V，导通电阻低，具备良好的开关性能和热稳定性，适用于高效率、高频率的电源转换场景。 典型应用场景包括： 1. 开关电源（SMPS）：广泛用于适配器、充电器、PC 电源等，因其高耐压和低损耗特性，有助于提升能效并减小体积。 2. 照明电源：适用于 LED 驱动电源，特别是在高功率 LED 照明系统中，可实现高效稳定的直流输出。 3. 待机电源电路：在家电、工业控制设备中作为待机电源的主开关管，支持低功耗运行。 4. AC-DC 转换器：常用于反激式（Flyback）或准谐振（QR）拓扑结构中，提高转换效率并满足能效标准（如 Energy Star、ERP）。 5. 电机驱动辅助电源：在变频器或电机控制模块中为控制电路供电。 该器件采用 TO-220FP 或类似封装，散热性能良好，适合紧凑型设计。其内置快速恢复体二极管，有助于减少外部元件数量，简化电路设计。综合来看，STB6NK60ZT4 特别适用于追求高效率、高可靠性和小型化的中低功率电源系统。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 6A D2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | STB6NK60ZT4 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | SuperMESH™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 100µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 905pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 46nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1.2 欧姆 @ 3A，10V |
| 供应商器件封装 | D²PAK |
| 其它名称 | 497-12537-1 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1167/PF67153?referrer=70071840 |
| 功率-最大值 | 110W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 6A （Tc） |
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