ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 单 > FQD30N06TM
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
FQD30N06TM产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FQD30N06TM由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQD30N06TM价格参考¥3.29-¥3.38。Fairchild SemiconductorFQD30N06TM封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 60V 22.7A(Tc) 2.5W(Ta),44W(Tc) TO-252,(D-Pak)。您可以下载FQD30N06TM参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FQD30N06TM 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQD30N06TM 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 N 沟道增强型 MOSFET,其应用场景广泛,主要适用于需要高效开关和低导通电阻的电路设计。以下是该型号的主要应用场景: 1. 电源管理 FQD30N06TM 适合用于各种电源管理应用,例如 DC-DC 转换器、开关电源(SMPS)、电池充电器等。其低导通电阻(Rds(on) 典型值为 40 mΩ)能够降低功耗,提高转换效率。 2. 电机驱动 该 MOSFET 可用于小型直流电机或步进电机的驱动电路中,提供高效的开关控制。其 60V 的耐压能力足以应对大多数低压电机驱动需求。 3. 负载开关 在消费电子设备中,FQD30N06TM 可作为负载开关使用,用于动态管理不同负载的供电状态,从而实现节能和保护功能。 4. 电池保护 该器件适用于锂电池或其他可充电电池组的保护电路,通过快速开关特性防止过流、短路或过放电等情况。 5. 逆变器和 UPS 系统 在小型逆变器或不间断电源(UPS)系统中,FQD30N06TM 可用于功率级开关,确保稳定的输出电压和电流。 6. LED 驱动 该 MOSFET 可用于高亮度 LED 的驱动电路中,通过 PWM 调光方式实现亮度调节,同时保持低功耗。 7. 汽车电子 在汽车电子领域,FQD30N06TM 可应用于车载音响、车窗升降器、座椅调节器等低功率系统的控制电路中。 8. 工业自动化 该器件可用于工业控制中的继电器替代、传感器接口以及信号放大等场景,提供可靠的开关性能。 总结来说,FQD30N06TM 凭借其低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性,非常适合用于消费电子、工业控制、汽车电子和通信设备等领域中的功率管理和信号处理任务。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 22.7A DPAK-3MOSFET DISC BY MFG 7/03 |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 22.7 A |
| Id-连续漏极电流 | 22.7 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 否无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FQD30N06TMQFET® |
| mouser_ship_limit | 该产品可能需要其他文件才能进口到中国。 |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FQD30N06TM |
| Pd-PowerDissipation | 2.5 W |
| Pd-功率耗散 | 2.5 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 45 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 45 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 25 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 25 V |
| 上升时间 | 85 ns |
| 下降时间 | 40 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 945pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 25nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 45 毫欧 @ 11.4A,10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-252,(D-Pak) |
| 其它名称 | FQD30N06TMCT |
| 典型关闭延迟时间 | 35 ns |
| 功率-最大值 | 2.5W |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 单位重量 | 260.370 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
| 封装/箱体 | DPAK-2 |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 22.7A (Tc) |
| 系列 | FQD30N06 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |