Datasheet下载- 型号： FQD6N40TF
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQD6N40TF由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQD6N40TF价格参考。Fairchild SemiconductorFQD6N40TF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FQD6N40TF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQD6N40TF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQD6N40TF是安森美（ON Semiconductor）生产的一款N沟道增强型功率MOSFET，属于晶体管中的场效应管（FET），常用于中高压开关应用。该器件耐压高达400V，连续漏极电流可达6A，具有低导通电阻和高开关效率的特点，适用于需要高效能功率控制的场合。 其典型应用场景包括：开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、AC-DC电源适配器、照明镇流器（如LED驱动电源）、电机驱动电路以及家用电器中的功率控制模块。由于具备良好的热稳定性和可靠性，FQD6N40TF也广泛应用于工业控制设备、电源管理系统及消费类电子产品中。 此外，该MOSFET采用TO-220F封装，具备良好的散热性能，适合在较严苛的环境温度下长期稳定运行。其快速开关特性有助于减少能量损耗，提高系统整体能效，因此在节能型电源设计中备受青睐。总之，FQD6N40TF是一款性能稳定的高压功率MOSFET，适用于多种中等功率的开关与电源管理场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 400V 4.2A DPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FQD6N40TF |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | QFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 620pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 17nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1.15 欧姆 @ 2.1A，10V |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 功率-最大值 | 2.5W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 标准包装 | 2,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 400V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 4.2A （Tc） |
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