Datasheet下载- 型号： IPP65R190E6XKSA1
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IPP65R190E6XKSA1由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPP65R190E6XKSA1价格参考。InfineonIPP65R190E6XKSA1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IPP65R190E6XKSA1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IPP65R190E6XKSA1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌科技）的型号为 IPP65R190E6XKSA1 的MOSFET属于高性能功率器件，主要应用于需要高效能和高可靠性的电源管理系统中。以下是其典型应用场景： 1. 开关电源（SMPS）：适用于通信设备、服务器及工业电源等领域的高效电源转换系统，具备低导通电阻与快速开关特性，有助于提升效率并降低能耗。 2. DC-DC转换器：在车载电子、新能源汽车（如OBC车载充电机）、太阳能逆变器等系统中，用于高效的电压变换，支持高频工作，减小电感体积，提高功率密度。 3. 电机驱动：适用于工业自动化控制、电动工具、家电中的电机控制电路，提供稳定可靠的功率输出。 4. 照明电源：如LED路灯、商业照明等高亮度LED驱动电源中，该器件可实现高效能、长寿命的电源设计。 5. 电池管理系统（BMS）：在储能系统、电动车电池管理中用作充放电控制开关，具有良好的热稳定性和过载能力。 该MOSFET采用先进的封装技术（如PG-HSOF-8），具备优异的散热性能，适合表面贴装，广泛应用于高功率密度和高可靠性要求的工业与汽车领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/IPP65R190E6_2_0.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a3043300464130130075026ea3b7e |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IPP65R190E6XKSA1 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | CoolMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3.5V @ 730µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1620pF @ 100V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 73nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 190 毫欧 @ 7.3A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-220-3 |
| 功率-最大值 | 151W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 650V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 20.2A （Tc） |
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