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详细数据请看参考数据手册
- 型号： BUK9E4R9-60E,127
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BUK9E4R9-60E,127由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BUK9E4R9-60E,127价格参考。NXP SemiconductorsBUK9E4R9-60E,127封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BUK9E4R9-60E,127参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BUK9E4R9-60E,127 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NXP USA Inc. 的 BUK9E4R9-60E,127 是一款60V N沟道功率MOSFET，属于晶体管中的FET/MOSFET单管类别。该器件采用先进的TrenchMOS技术，具有低导通电阻（典型RDS(on)为4.9mΩ），可有效降低导通损耗，提高系统效率。 BUK9E4R9-60E广泛应用于需要高效、高可靠性的电源管理系统中。典型使用场景包括：直流电机驱动（如电动工具、无人机和电动车的辅助系统）、开关电源（SMPS）、DC-DC转换器（如车载充电器、工业电源模块）、LED照明驱动电源以及电池管理系统（BMS）等。其高电流承载能力与优良的热性能，使其在紧凑型高功率密度设计中表现出色。 此外，该MOSFET适用于汽车电子应用，如车载信息娱乐系统、车身控制模块和辅助电源单元，符合AEC-Q101车规标准，具备良好的温度稳定性和长期可靠性。封装形式为SOT1227D（LFPAK56），散热性能优异，便于自动化生产，适合回流焊工艺。 综上，BUK9E4R9-60E,127凭借低损耗、高效率和高可靠性，成为工业、消费类电子及汽车电子中中低压功率开关的理想选择。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V I2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BUK9E4R9-60E,127 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.1V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 9710pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 65nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 4.5 毫欧 @ 25A，10V |
| 供应商器件封装 | I2PAK |
| 其它名称 | 568-9876-5 |
| 功率-最大值 | 234W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 100A （Ta） |
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