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- 型号： HUF76407D3
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供HUF76407D3由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HUF76407D3价格参考。Fairchild SemiconductorHUF76407D3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载HUF76407D3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有HUF76407D3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
HUF76407D3 是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款N沟道增强型MOSFET，属于功率MOSFET器件，广泛应用于需要高效、高速开关性能的场合。该器件采用先进的Trench沟槽技术，具有低导通电阻（Rds(on)）、高电流容量和良好的热稳定性。 主要应用场景包括： 1. 电源管理：用于DC-DC转换器、同步整流器和负载开关，实现高效的能量转换与管理，适用于笔记本电脑、服务器和通信设备的电源系统。 2. 电机控制：在直流电机、步进电机或无刷电机驱动电路中作为功率开关，适用于工业自动化、机器人和电动工具等应用。 3. 电池供电设备：如便携式电子产品、电动车辆和储能系统中，用于电池充放电管理及电源切换。 4. 汽车电子：如车身控制模块、照明系统和车载充电器中，适用于需要高可靠性和稳定性的汽车环境。 5. 负载开关与继电器替代：在需要频繁通断的电路中替代机械继电器，提供更快的响应速度和更长的使用寿命。 该器件具有优良的导通性能和开关特性，适合高频应用，且封装形式（如DPAK）便于散热和安装，广泛适用于工业、消费类和汽车电子领域。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 12A IPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | HUF76407D3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | UltraFET™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 350pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 11.3nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 92 毫欧 @ 13A，10V |
| 供应商器件封装 | I-Pak |
| 功率-最大值 | 38W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |
| 标准包装 | 1,800 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 12A （Tc） |
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