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Datasheet下载- 型号： SI7136DP-T1-E3
- 制造商： Vishay
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SI7136DP-T1-E3产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI7136DP-T1-E3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI7136DP-T1-E3价格参考。VishaySI7136DP-T1-E3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 20V 30A（Tc） 5W（Ta），39W（Tc） PowerPAK® SO-8。您可以下载SI7136DP-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI7136DP-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI7136DP-T1-E3 是一款 N 沟道增强型 MOSFET，具有低导通电阻（Rds(on)）和高开关速度的特点。其典型应用场景包括： 1. 电源管理：适用于 DC-DC 转换器、降压/升压转换器以及负载开关等电路中，用于高效地控制电流流动和电压转换。 2. 电机驱动：可用于小型直流电机或步进电机的驱动电路，提供稳定的电流输出并支持快速开关操作。 3. 电池保护：在便携式电子设备中用作电池保护开关，防止过充、过放或短路情况发生。 4. 负载切换：在通信设备、消费类电子产品及计算机外围设备中实现动态负载切换功能。 5. 信号处理：作为信号路径上的电子开关使用，在音频放大器或其他模拟信号处理系统中起到关键作用。 6. 汽车电子：尽管该器件主要面向消费级应用，但在某些非核心汽车子系统（如照明控制、传感器接口等）也可能被采用。 总之，SI7136DP-T1-E3 凭借其出色的性能参数，非常适合需要高效功率转换与精确电流控制的各种电子设计项目。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 20V 30A PPAK SO-8MOSFET 20V 30A 39W 3.2mohm @ 10V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 29.5 A |
| Id-连续漏极电流 | 29.5 A |
| 品牌 | Vishay SiliconixVishay / Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI7136DP-T1-E3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI7136DP-T1-E3SI7136DP-T1-E3 |
| Pd-PowerDissipation | 5 W |
| Pd-功率耗散 | 5 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 3.2 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 3.2 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 67 ns, 42 ns |
| 下降时间 | 9 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3380pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 78nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 3.2 毫欧 @ 20A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® SO-8 |
| 其它名称 | SI7136DP-T1-E3DKR |
| 典型关闭延迟时间 | 30 ns, 37 ns |
| 功率-最大值 | 39W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 |
| 封装/箱体 | PowerPAK SO-8 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 30A （Tc） |
| 系列 | SI71xxDx |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | SI7136DP-E3 |
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