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产品简介:
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NTMFS4C35NT1G是安森美(ON Semiconductor)推出的一款N沟道增强型功率MOSFET,属于高性能、低导通电阻的MOSFET器件。该型号广泛应用于需要高效能、高效率开关性能的电源管理系统中。 其主要应用场景包括: 1. 电源转换系统:常用于DC-DC转换器、同步整流电路中,适用于笔记本电脑、服务器和通信设备中的板级电源管理。 2. 电机驱动:在直流电机、步进电机等小型电机控制电路中作为开关元件,提供快速响应与低功耗运行。 3. 负载开关与电源开关:用于便携式电子设备(如智能手机、平板电脑)中的电源通断控制,实现低静态电流与高效能管理。 4. 热插拔电路:在支持热插拔的工业与通信设备中,用于限制浪涌电流,保护后级电路。 5. LED照明驱动:在中高功率LED驱动电源中作为开关管,提升能效和系统可靠性。 NTMFS4C35NT1G具有低栅极电荷(Qg)和低导通电阻(RDS(on)),有助于减少开关损耗和导通损耗,提高整体系统效率。同时采用先进的封装技术(如PowerPAK SO-8),具备良好的散热性能,适合空间紧凑且对热管理要求较高的应用环境。 综上,该MOSFET适用于追求高效率、小体积和高可靠性的中低电压功率开关场合,尤其在消费电子、工业控制和通信电源领域表现优异。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 80A SO8FL |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | NTMFS4C35NT1G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2300pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 15nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 3.2 毫欧 @ 30A,10V |
| 供应商器件封装 | * |
| 功率-最大值 | 780mW |
| 包装 | * |
| 安装类型 | * |
| 封装/外壳 | * |
| 标准包装 | 1,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 12.4A (Ta) |