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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供DMN3067LW-7由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DMN3067LW-7价格参考。Diodes Inc.DMN3067LW-7封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载DMN3067LW-7参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有DMN3067LW-7 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Diodes Incorporated的DMN3067LW-7是一款P沟道增强型MOSFET,常用于电源管理和负载开关等应用场景。该器件采用高密度技术制造,具有低导通电阻(Rds(on))、高效率和良好的热稳定性,适用于需要高效能与小型化设计的电路。 典型应用包括: 1. DC-DC转换器:用于笔记本电脑、平板电脑和移动设备中的电源转换系统,提升能源利用效率。 2. 负载开关:在电池供电设备中控制不同模块的供电,实现节能和延长续航。 3. 电机驱动与继电器替代:用于智能控制系统中的电子开关,提高响应速度并减少机械磨损。 4. 保护电路:如过流保护、反向电压保护等,确保系统稳定运行。 其SOT-26封装体积小巧,适合空间受限的设计,广泛应用于消费电子、工业自动化及便携式设备中。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT-323 |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | Diodes Incorporated |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | DMN3067LW-7 |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1.5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 447pF @ 10V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 4.6nC @ 4.5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 67 毫欧 @ 2.5A,4.5V |
供应商器件封装 | SOT-323 |
其它名称 | DMN3067LW-7DIDKR |
功率-最大值 | 500mW |
包装 | Digi-Reel® |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | SC-70,SOT-323 |
标准包装 | 1 |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 2.6A (Ta) |