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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFS38N20DTRLP由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFS38N20DTRLP价格参考。International RectifierIRFS38N20DTRLP封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRFS38N20DTRLP参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFS38N20DTRLP 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies(英飞凌科技)的型号为IRFS38N20DTRLP的MOSFET,属于功率场效应晶体管(Power MOSFET),其主要参数和设计特性使其适用于多种高效率、中高功率的电力电子应用。以下是该器件的典型应用场景: 1. 电源转换器(SMPS):该MOSFET具有低导通电阻和快速开关特性,适合用于开关电源、DC-DC转换器、AC-DC适配器等高效能电源系统。 2. 电机驱动与控制:由于其良好的热稳定性和负载能力,适用于工业自动化设备中的电机驱动电路,如伺服电机、步进电机控制等。 3. 逆变器系统:在太阳能逆变器或UPS(不间断电源)系统中,可用于将直流电转换为交流电的关键开关元件。 4. 汽车电子应用:该器件符合AEC-Q101标准,适用于车载环境,如电动车辆的电池管理系统、车载充电器、灯光控制系统等。 5. 负载开关与功率管理:可用于智能功率分配系统,实现对不同负载的高效控制和保护。 6. 工业自动化与电机控制模块:因其封装小型化且性能稳定,广泛应用于PLC、工业机器人等设备中的功率开关部分。 总结而言,IRFS38N20DTRLP凭借其优异的电气特性和可靠性,适用于需要高效、紧凑设计的电源管理和功率控制领域,尤其适合汽车与工业应用场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 200V 43A D2PAKMOSFET MOSFT 200V 44A 54mOhm 60nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 44 A |
| Id-连续漏极电流 | 44 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFS38N20DTRLPHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRFS38N20DTRLP |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 320 W |
| Pd-功率耗散 | 320 W |
| Qg-GateCharge | 60 nC |
| Qg-栅极电荷 | 60 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 54 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 54 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 200 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 200 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| 上升时间 | 95 ns |
| 下降时间 | 47 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2900pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 91nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 54 毫欧 @ 26A,10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | IRFS38N20DTRLPDKR |
| 典型关闭延迟时间 | 29 ns |
| 功率-最大值 | 3.8W |
| 功率耗散 | 320 W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 54 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 800 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极电荷Qg | 60 nC |
| 标准包装 | 1 |
| 汲极/源极击穿电压 | 200 V |
| 漏极连续电流 | 44 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 44A (Tc) |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irfb_s_sl38n20d.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irfb_s_sl38n20d.spi |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | 30 V |