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型号： IPD180N10N3GBTMA1
制造商： Infineon
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供IPD180N10N3GBTMA1由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPD180N10N3GBTMA1价格参考。InfineonIPD180N10N3GBTMA1封装/规格：未分类，暂无。您可以下载IPD180N10N3GBTMA1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IPD180N10N3GBTMA1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Infineon Technologies（英飞凌科技）的IPD180N10N3GBTMA1是一款N沟道功率MOSFET，属于晶体管中的FET类别。该器件广泛应用于需要高效功率转换和控制的场景。

主要应用场景包括：

1. 电源管理：如DC-DC转换器、AC-DC电源适配器、开关电源（SMPS），适用于服务器、通信设备和工业电源系统。

2. 电机驱动：用于工业自动化设备、无刷直流电机（BLDC）控制器和电动工具中，提供高效率和快速开关性能。

3. 汽车电子：如车载充电系统、DC-DC转换器、电池管理系统（BMS）及车载逆变器，满足汽车对高可靠性和高效率的需求。

4. 新能源领域：在光伏逆变器、储能系统和电动汽车充电桩中，用于实现高效的能量转换。

5. 家电控制：如变频空调、电磁炉等高功率家电中的功率开关，支持节能与高性能运行。

该MOSFET具备低导通电阻（Rds(on)）、高耐压（100V）和优异的热性能，适合高频率开关应用，有助于提高系统效率和减小电路体积。

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