Datasheet下载- 型号： TK35E08N1,S1X
- 制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供TK35E08N1,S1X由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 TK35E08N1,S1X价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.TK35E08N1,S1X封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载TK35E08N1,S1X参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有TK35E08N1,S1X 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
TK35E08N1,S1X 是东芝半导体（Toshiba Semiconductor and Storage）推出的一款N沟道MOSFET，属于晶体管中的场效应管（FET），广泛应用于多种电子设备中。该器件具有低导通电阻（RDS(on)）、高效率和良好的热稳定性，适合在电源管理和功率开关场合使用。 其典型应用场景包括： 1. 电源转换系统：如DC-DC转换器、AC-DC电源适配器中，用于高效能量转换，提升整体能效。 2. 电机驱动电路：适用于小型电机控制，如家用电器（风扇、吸尘器）、电动工具等，实现快速开关与低功耗运行。 3. 电池供电设备：在笔记本电脑、移动电源、便携式设备中作为负载开关或电源管理元件，有效降低待机损耗。 4. LED照明驱动：用于恒流控制电路中，确保LED稳定工作并延长使用寿命。 5. 工业控制与自动化设备：作为功率开关元件，用于继电器替代、电磁阀控制等场景，提高系统可靠性。 TK35E08N1,S1X采用先进的封装技术，具备良好的散热性能和紧凑的尺寸，适合高密度PCB布局，满足现代电子产品对小型化和高效能的需求。凭借东芝在功率器件领域的技术积累，该MOSFET在可靠性与一致性方面表现优异，是中低压功率应用中的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N CH 80V 35A TO-220 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 数据手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TK35E08N1 |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | TK35E08N1,S1X |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 300µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1700pF @ 40V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 25nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 12.2 毫欧 @ 17.5A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-220-3 |
| 其它名称 | TK35E08N1S1X |
| 功率-最大值 | 72W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 80V |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/product-highlights/cn/zh/toshiba-silicon-n-channel-mosfet/2550http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/umosh-mosfets/52364 |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 55A （Tc） |
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