Datasheet下载- 型号： PMBF170,235
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PMBF170,235由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PMBF170,235价格参考。NXP SemiconductorsPMBF170,235封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PMBF170,235参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PMBF170,235 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PMBF170,235 是 NXP USA Inc. 推出的一款 N 沟道增强型 MOSFET（单个封装），采用 SOT-23 小型表面贴装封装，具有低导通电阻（RDS(on) ≈ 5 Ω @ VGS = 10 V）、低栅极电荷、快速开关特性及高输入阻抗等优势。其额定电压为 60 V，连续漏极电流约 480 mA（Tamb = 25°C），适用于低压、小功率开关场景。 典型应用场景包括： ✅ 便携式电子设备的电源管理——如智能手机、TWS 耳机、可穿戴设备中的 LED 背光控制、LED 闪烁驱动或负载开关； ✅ 电池供电系统的负载切换与反向电流保护——用于 USB 外设供电使能、电池充放电路径控制（配合充电 IC）； ✅ 低功耗逻辑电平转换与信号开关——在微控制器（如 ARM Cortex-M 系列）I/O 口驱动能力不足时，用作电平移位或继电器替代； ✅ 小型电机/蜂鸣器驱动——驱动微型直流电机（<1 W）、压电蜂鸣器或电磁继电器线圈（需加续流二极管）； ✅ 工业与消费类传感器接口电路——作为传感器供电使能开关，实现按需上电以降低系统待机功耗。 该器件不适用于大电流、高频率（>1 MHz）或高压（>60 V）场合，亦非功率级主开关器件。设计中需注意 PCB 散热（SOT-23 热阻较高）、栅极驱动稳定性（避免振荡）及静电防护（MOSFET 对 ESD 敏感）。 综上，PMBF170,235 主要面向空间受限、成本敏感、中低功率（≤0.5 W）的智能终端和嵌入式系统中的通用开关应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH TRENCH 60V SOT-23MOSFET N-channel TrenchMOS intermed level FET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 300 mA |
| Id-连续漏极电流 | 300 mA |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PMBF170,235TrenchMOS™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PMBF170,235 |
| Pd-PowerDissipation | 0.83 W |
| Pd-功率耗散 | 830 mW |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 2.8 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 2.8 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 75 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 75 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 2 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 2 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 40pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 5 欧姆 @ 500mA，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-23 (TO-236AB) |
| 其它名称 | 933966340235 |
| 典型关闭延迟时间 | 12 ns |
| 功率-最大值 | 830mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23-3 |
| 工厂包装数量 | 10000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 10,000 |
| 正向跨导-最小值 | 100 mS |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 300mA （Ta） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
