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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供NSVMMBT6517LT1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NSVMMBT6517LT1G价格参考。ON SemiconductorNSVMMBT6517LT1G封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单, 双极 (BJT) 晶体管 NPN 350V 100mA 200MHz 225mW 表面贴装 SOT-23-3(TO-236)。您可以下载NSVMMBT6517LT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NSVMMBT6517LT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NSVMMBT6517LT1G是安森美(ON Semiconductor)生产的一款表面贴装NPN型双极结型晶体管(BJT),属于通用放大和开关应用的小信号晶体管。该器件采用SOT-23封装,具有高增益、低饱和电压和优良的开关特性,适用于多种电子电路中的信号放大与数字开关功能。 其典型应用场景包括:便携式消费类电子产品(如智能手机、平板电脑、可穿戴设备)中的电源管理与信号控制;在电源转换电路(如DC-DC转换器、LDO使能控制)中作为驱动或开关元件;用于LED驱动电路实现亮度调节;在传感器接口电路中作为信号放大器;以及在各类小型电子模块中实现逻辑电平转换或继电器/负载驱动。 由于其符合AEC-Q101车规认证,并具备高可靠性,NSVMMBT6517LT1G也广泛应用于汽车电子系统,如车载信息娱乐设备、车身控制模块、电机驱动和照明控制等对稳定性要求较高的环境。此外,该器件支持环保生产流程,满足RoHS及无卤素要求,适合工业级和汽车级工作温度范围(-55°C 至 150°C),可在严苛环境中稳定运行。 综上,NSVMMBT6517LT1G是一款高性能、高可靠性的通用NPN晶体管,适用于消费电子、汽车电子和工业控制等多种领域的小信号放大与开关应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS NPN 350V SOT23 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | NSVMMBT6517LT1G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 1V @ 5mA,50mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 20 @ 50mA,10V |
| 供应商器件封装 | * |
| 功率-最大值 | 225mW |
| 包装 | * |
| 安装类型 | * |
| 封装/外壳 | * |
| 晶体管类型 | NPN |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 350V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
| 电流-集电极截止(最大值) | 50nA (ICBO) |
| 频率-跃迁 | 200MHz |