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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SUD50N03-11-E3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SUD50N03-11-E3价格参考。VishaySUD50N03-11-E3封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载SUD50N03-11-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SUD50N03-11-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SUD50N03-11-E3 是一款 N 沟道增强型 MOSFET,广泛应用于需要高效功率开关的场合。其主要应用场景包括: 1. 电源管理:适用于开关电源(SMPS)、DC-DC 转换器和电源适配器,因其低导通电阻和高效率特性,有助于提高能源利用率。 2. 电机控制:用于直流电机驱动器、电动工具及工业自动化设备中,作为功率开关实现快速响应与稳定控制。 3. 负载开关:在电池供电设备中用作负载开关,控制电流流向以延长电池寿命,常见于笔记本电脑、平板和便携式电子产品。 4. 逆变器与UPS系统:适用于不间断电源(UPS)和小型逆变器,支持高效能电能转换与稳定输出。 5. 汽车电子:用于车载电源系统、LED照明驱动及电动车辆中的功率控制模块,具备较高可靠性和耐用性。 该器件采用表面贴装封装,适合自动化装配,适用于多种中高功率应用领域。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 30V 50A TO252MOSFET 30V 50A 62.5W |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 50 A |
Id-连续漏极电流 | 50 A |
品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SUD50N03-11-E3TrenchFET® |
数据手册 | |
产品型号 | SUD50N03-11-E3SUD50N03-11-E3 |
Pd-PowerDissipation | 7.5 W |
Pd-功率耗散 | 7.5 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 11 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 11 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
上升时间 | 10 ns |
下降时间 | 6 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 800mV @ 250µA (最小) |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1130pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 20nC @ 5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 11 毫欧 @ 25A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-252,(D-Pak) |
典型关闭延迟时间 | 18 ns |
功率-最大值 | 62.5W |
包装 | 带卷 (TR) |
商标 | Vishay / Siliconix |
商标名 | TrenchFET |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
封装/箱体 | DPAK-2 |
工厂包装数量 | 2000 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 175 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 2,000 |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 50A (Tc) |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |