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HUF75645S3ST产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供HUF75645S3ST由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HUF75645S3ST价格参考。Fairchild SemiconductorHUF75645S3ST封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 100V 75A(Tc) 310W(Tc) D²PAK(TO-263AB)。您可以下载HUF75645S3ST参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有HUF75645S3ST 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
HUF75645S3ST 是由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的一款 N 沟道增强型 MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单一类别。其主要应用场景包括: 1. 开关电源(SMPS) HUF75645S3ST 适用于各种开关电源设计,例如 DC-DC 转换器、降压或升压转换器等。其低导通电阻(Rds(on))和高开关速度使其在高效能电源管理中表现出色。 2. 电机驱动 在小型直流电机或步进电机的驱动电路中,该 MOSFET 可作为开关元件使用,用于控制电机的启停、转速和方向。 3. 负载开关 它可以用于消费电子设备中的负载开关应用,例如手机、平板电脑和其他便携式设备,实现对不同负载的快速切换和保护。 4. 电池管理 该器件适用于锂电池或其他可充电电池的保护电路中,用于过流保护、短路保护以及电池充放电路径的控制。 5. LED 驱动 在 LED 照明系统中,HUF75645S3ST 可用于恒流驱动电路,确保 LED 的亮度稳定并提高能效。 6. 通信设备 在网络路由器、交换机等通信设备中,这款 MOSFET 可用于信号调理、电源管理和接口保护等功能。 7. 汽车电子 由于其良好的电气性能和可靠性,HUF75645S3ST 还可用于汽车电子领域,如车身控制模块、车载信息娱乐系统和辅助驾驶系统的电源管理部分。 总之,HUF75645S3ST 凭借其出色的电气特性(如低 Rds(on)、高工作频率和耐热性),广泛应用于需要高效功率转换和精确控制的各种场景中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 75A D2PAKMOSFET 75a 100V N-Ch UltraFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 75 A |
| Id-连续漏极电流 | 75 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor HUF75645S3STUltraFET™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | HUF75645S3ST |
| PCN封装 | |
| Pd-PowerDissipation | 310 W |
| Pd-功率耗散 | 310 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 14 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 14 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 117 ns |
| 下降时间 | 97 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3790pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 238nC @ 20V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 14 毫欧 @ 75A,10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D²PAK |
| 其它名称 | HUF75645S3STCT |
| 典型关闭延迟时间 | 41 ns |
| 功率-最大值 | 310W |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 单位重量 | 1.312 g |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 800 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 75A (Tc) |
| 系列 | HUF75645 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | HUF75645S3ST_NL |