/IRF1010NSTRLPBF.jpg)
Datasheet下载- 型号： IRF1010NSTRLPBF
- 制造商： International Rectifier
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF1010NSTRLPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF1010NSTRLPBF价格参考￥3.74-￥4.07。International RectifierIRF1010NSTRLPBF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRF1010NSTRLPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF1010NSTRLPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies的IRF1010NSTRLPBF是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），其主要应用场景包括： 1. 开关电源 (SMPS) - IRF1010NSTRLPBF适用于开关电源中的功率转换电路，例如DC-DC转换器和AC-DC适配器。其低导通电阻（Rds(on)）特性能够降低功耗，提高效率。 - 常用于笔记本电脑充电器、LED驱动器和其他消费电子设备的电源管理。 2. 电机驱动 - 在小型直流电机或步进电机的驱动电路中，该MOSFET可以用作开关元件，控制电机的启停、速度和方向。 - 其快速开关特性和低损耗使其适合高效电机控制应用。 3. 电池管理系统 (BMS) - 用于锂电池或其他可充电电池组的保护电路中，作为充放电路径的开关。 - 可以防止过流、短路和过热等问题，确保电池的安全运行。 4. 负载开关 - 在需要动态控制负载电流的场景中，IRF1010NSTRLPBF可用作负载开关，实现对不同负载的精确控制。 - 应用于汽车电子、工业自动化和通信设备等领域。 5. 逆变器和UPS系统 - 在不间断电源（UPS）和太阳能逆变器中，该MOSFET可以作为功率级开关，将直流电转换为交流电。 - 其高电流处理能力和低损耗特性非常适合这些高能效需求的应用。 6. 音频放大器 - 在D类音频放大器中，IRF1010NSTRLPBF可以用作输出级开关，提供高效的音频信号放大。 - 其快速开关速度有助于减少失真并提高音质。 7. 工业控制 - 用于工业自动化设备中的继电器替代方案，实现更可靠和更快的开关操作。 - 应用于PLC（可编程逻辑控制器）、传感器接口和执行器驱动等场合。 总结 IRF1010NSTRLPBF凭借其低导通电阻（典型值为3.5mΩ）、高电流容量（最大 drain 电流为118A）和快速开关能力，在高效功率转换和控制领域具有广泛的应用价值。它特别适合需要高性能、低损耗和高可靠性的电子系统设计。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| Ciss-输入电容 | 3.21 nF |
| 描述 | MOSFET N-CH 55V 85A D2PAKMOSFET MOSFT 55V 84A 11mOhm 80nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 84 A |
| Id-连续漏极电流 | 85 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF1010NSTRLPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRF1010NSTRLPBF |
| Pd-PowerDissipation | 3.8 W |
| Pd-功率耗散 | 180 W |
| Qg-GateCharge | 80 nC |
| Qg-栅极电荷 | 120 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 11 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 11 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 55 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 55 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 4 V |
| 上升时间 | 76 ns |
| 下降时间 | 48 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3210pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 120nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 11 毫欧 @ 43A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | IRF1010NSTRLPBFDKR |
| 典型关闭延迟时间 | 39 ns |
| 功率-最大值 | 180W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 800 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 32 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 55V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 85A （Tc） |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/SABER/irf1010ns.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/SPICE/irf1010ns.spi |
| 配置 | Single |
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
