Datasheet下载- 型号： SI1300BDL-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI1300BDL-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI1300BDL-T1-GE3价格参考。VishaySI1300BDL-T1-GE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI1300BDL-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI1300BDL-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI1300BDL-T1-GE3 是一款P沟道增强型MOSFET，采用1.2mm×1.2mm超小型DFN1212封装，适用于空间受限的便携式电子设备。其主要应用场景包括： 1. 便携式电子产品：广泛用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备等，作为电源开关或负载开关，控制电池供电路径，实现低功耗管理和节能运行。 2. 电池管理：在电池供电系统中用于反向电流阻断、电池极性保护和充放电控制，有效提升系统安全性和能效。 3. 电源管理电路：适用于DC-DC转换器、LDO旁路开关及电压反转电路，凭借低导通电阻（RDS(on)）减少功率损耗，提高电源效率。 4. 信号开关应用：可用于模拟开关或数字信号通断控制，因其快速开关特性和低漏电流，适合高频、低功耗场景。 5. 消费类电子与物联网设备：如无线传感器、蓝牙模块、智能家居终端等，满足小型化、低静态电流的设计需求。 SI1300BDL-T1-GE3具备优良的热性能和可靠性，工作温度范围宽（-55°C 至 +150°C），适合高密度PCB布局，是现代高效、紧凑型电子产品的理想选择。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 20V 400MA SC-70-3 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平栅极，2.5V 驱动 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SI1300BDL-T1-GE3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 35pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 0.84nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 850 毫欧 @ 250mA，4.5V |
| 供应商器件封装 | SC-70-3 |
| 其它名称 | SI1300BDL-T1-GE3TR |
| 功率-最大值 | 200mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-70，SOT-323 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 400mA （Tc） |
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