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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF7842TR由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF7842TR价格参考。International RectifierIRF7842TR封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRF7842TR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRF7842TR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies(英飞凌科技)的型号为IRF7842TR的晶体管属于MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)类别,是一种单沟道(Single MOSFET)器件。该器件广泛应用于需要高效能、高频率开关特性的场合。 IRF7842TR是一款N沟道增强型MOSFET,具有低导通电阻、高电流承载能力和快速开关速度的特点,适合用于电源管理和功率转换系统。典型应用场景包括: 1. DC-DC转换器:在各类电子设备中作为高效的电压调节模块,如通信设备、工业控制系统和嵌入式系统。 2. 同步整流电路:提高电源效率,减少能量损耗。 3. 电机驱动电路:适用于小型电机或直流马达的控制,提供稳定且响应迅速的功率输出。 4. 负载开关:用于控制高电流负载的开启与关闭,如LED照明、电池充电管理等。 5. 逆变器与UPS系统:在不间断电源及小型逆变装置中实现电能形式的转换与调控。 由于其封装小、性能稳定,IRF7842TR也常用于空间受限但要求高性能的便携式电子产品中。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 40V 18A 8-SOIC |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | International Rectifier |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | IRF7842TR |
rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | HEXFET® |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.25V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 4500pF @ 20V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 50nC @ 4.5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 5 毫欧 @ 17A,10V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
供应商器件封装 | 8-SO |
功率-最大值 | 2.5W |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
标准包装 | 4,000 |
漏源极电压(Vdss) | 40V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 18A (Ta) |