Datasheet下载- 型号： ZXMN6A25G
- 制造商： Diodes Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供ZXMN6A25G由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ZXMN6A25G价格参考。Diodes Inc.ZXMN6A25G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载ZXMN6A25G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有ZXMN6A25G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ZXMN6A25G是Diodes Incorporated推出的一款N沟道增强型MOSFET，具有低导通电阻和高开关效率的特点。该器件广泛应用于需要高效功率控制和小型化设计的场景中。 主要应用场景包括：便携式电子设备（如智能手机、平板电脑和移动电源），用于电池管理和电源开关，因其低功耗特性有助于延长电池续航；电源管理模块，如DC-DC转换器和电压调节电路，适用于主板、嵌入式系统和工业控制设备；电机驱动电路，用于小型直流电机或步进电机的控制，常见于家电和电动工具中；LED驱动电路，可实现高效恒流控制，适用于照明系统；此外，还可用作负载开关或热插拔保护电路中的开关元件，提供快速响应和可靠保护。 ZXMN6A25G采用SOT-23小封装，适合空间受限的高密度PCB设计，同时具备良好的热稳定性和可靠性，适用于消费电子、工业控制和汽车电子等领域的中低功率应用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CHAN 60V SOT223 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | ZXMN6A25G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1063pF @ 30V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 20.4nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 50 毫欧 @ 3.6A，10V |
| 供应商器件封装 | SOT-223 |
| 其它名称 | ZXMN6A25GDKR |
| 其它图纸 |
|
| 功率-最大值 | 2W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 4.8A （Ta） |
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