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IRF2807ZPBF产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF2807ZPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF2807ZPBF价格参考¥11.30-¥14.13。International RectifierIRF2807ZPBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 75V 75A(Tc) 170W(Tc) TO-220AB。您可以下载IRF2807ZPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRF2807ZPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies(英飞凌科技)生产的IRF2807ZPBF是一款N沟道功率MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别。以下是该型号的主要应用场景: 1. 开关电源(SMPS) IRF2807ZPBF适用于各种开关电源设计,包括DC-DC转换器和AC-DC适配器。其低导通电阻(Rds(on))特性可以有效降低传导损耗,提高电源转换效率。 2. 电机驱动 该器件可用于驱动中小型直流电机或步进电机。其高电流承载能力和快速开关速度使其适合于需要高效能和稳定性的电机控制应用。 3. 电池管理系统(BMS) 在电池保护和管理中,IRF2807ZPBF可以用作充电/放电控制开关,确保电池的安全运行并延长使用寿命。 4. 逆变器和太阳能系统 该MOSFET适用于小型逆变器以及太阳能微逆变器中,用于能量转换和管理,支持可再生能源系统的高效运作。 5. 负载切换和保护电路 它可以作为负载切换开关,用于保护下游电路免受过流、短路等异常情况的影响。 6. 音频放大器 在某些功率音频放大器设计中,IRF2807ZPBF可用作输出级元件,提供高保真音质的同时保持较低的失真率。 7. 工业自动化与控制 此类MOSFET广泛应用于工业设备中的电磁阀、继电器和其他执行机构的驱动控制。 总结来说,IRF2807ZPBF凭借其出色的电气性能和可靠性,非常适合用在需要高效功率转换、快速响应及低功耗的应用场合。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | MOSFET N-CH 75V 75A TO-220ABMOSFET MOSFT 75V 89A 9.4mOhm 71nC |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 89 A |
Id-连续漏极电流 | 89 A |
品牌 | International Rectifier |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF2807ZPBFHEXFET® |
数据手册 | |
产品型号 | IRF2807ZPBF |
PCN组件/产地 | |
Pd-PowerDissipation | 170 W |
Pd-功率耗散 | 170 W |
Qg-GateCharge | 71 nC |
Qg-栅极电荷 | 71 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 9.4 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 9.4 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 75 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 75 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3270pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 110nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 9.4 毫欧 @ 53A,10V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-220AB |
其它名称 | *IRF2807ZPBF |
功率-最大值 | 170W |
功率耗散 | 170 W |
包装 | 管件 |
商标 | International Rectifier |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
导通电阻 | 9.4 mOhms |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-220-3 |
封装/箱体 | TO-220-3 |
工厂包装数量 | 50 |
晶体管极性 | N-Channel |
栅极电荷Qg | 71 nC |
标准包装 | 50 |
汲极/源极击穿电压 | 75 V |
漏极连续电流 | 89 A |
漏源极电压(Vdss) | 75V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 75A (Tc) |
设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irf2807z.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irf2807z.spi |
闸/源击穿电压 | 20 V |