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Datasheet下载- 型号： 2SJ360(F)
- 制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供2SJ360(F)由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2SJ360(F)价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.2SJ360(F)封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载2SJ360(F)参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有2SJ360(F) 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为2SJ360(F)、品牌为Toshiba Semiconductor and Storage的晶体管属于P沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），常用于以下应用场景： 1. 电源管理电路：适用于DC-DC转换器、电压调节模块（VRM）等，用于高效能电源转换与稳压，尤其适合低电压、中等电流的便携设备电源系统。 2. 负载开关控制：在电池供电设备中作为开关元件，用于控制电源通断，降低待机功耗，提高系统能效。 3. 电机驱动电路：用于小型电机或风扇的控制电路中，作为功率开关，实现启停与调速功能。 4. 逆变器与UPS系统：适用于不间断电源（UPS）或小型逆变器中，作为功率转换与控制元件。 5. 工业自动化设备：用于PLC、传感器模块、继电器替代电路等，实现高速开关与低功耗控制。 6. 消费类电子产品：如笔记本电脑、平板、打印机等设备中的电源管理子系统。 该器件具有低导通电阻、小封装尺寸、适合表面贴装等特点，适合高密度、高效率的电子设计需求。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 60V 1A SC-62 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | 2SJ360(F) |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 155pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 6.5nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 730 毫欧 @ 500mA，10V |
| 供应商器件封装 | PW-MINI |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 包装 | 散装 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-243AA |
| 标准包装 | 100 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 1A （Ta） |
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